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公开(公告)号：CN117790289A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311851710.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/683
Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。
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公开(公告)号：CN103441062A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310405028.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN119480632A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411663013.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/285 , H10D30/01
Abstract: 一种锗基源漏材料的制备方法及其应用，涉及锗基源漏材料领域，在锗基衬底上通过锗和铝的共沉积生长锗铝薄膜，当衬底温度为215~383℃时，X射线衍射（XRD）测试锗铝薄膜为单晶结构，晶体质量良好且表面无铝的偏析。霍尔测试锗铝薄膜自带p型掺杂，激活的空穴浓度高达8×1020#imgabs0#。根据飞行时间‑二次离子质谱仪（TOF‑SIMS）的表征结果，铝原子在未掺杂锗基衬底的扩散长度小于4nm/decade，可以应用于锗基逻辑电路先进节点工艺的p型原位掺杂和p+/n浅结的制备。
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公开(公告)号：CN114464691B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210119652.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119221106A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411415973.1
申请日：2024-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法，涉及半导体单晶纳米点制备领域。包括以下步骤：1）选择具有与所生长材料相似晶体结构以及较小的晶格失配的半导体晶圆衬底，并清洗；2）将AAO模版转移至半导体晶圆衬底上，并用丙酮溶液溶解PMMA基底；3）将步骤2）转移好AAO模版并溶解掉PMMA的衬底送入溅射腔中磁控溅射外延生长GeSn或GePb，衬底温度250~360℃，溅射速率大于21 nm/min；4）机械剥离AAO模版，获得GeSn、GePb半导体单晶纳米点。本发明为制备高质量GeSn、GePb单晶纳米点提供新工艺方法，有望应用于硅基光电集成中的硅基高效发光探测器件研发。
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公开(公告)号：CN118688901A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763678.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
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公开(公告)号：CN118360671A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410575524.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。
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公开(公告)号：CN114464691A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210119652.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
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公开(公告)号：CN103441062B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310405028.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
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