公开(公告)号：CN117855318A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410021349.7

申请日：2024-01-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  林嘉隆 ,  龙明滔 ,  魏树博 ,  彭行坤 ,  张捷

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法。其中，所述方法包括：在衬底上沉积β‑Ga2O3薄膜；在β‑Ga2O3薄膜上，通过射频磁控溅射法原位生长CuCrO2薄膜，与CuCrO2薄膜构成异质结。本发明利用射频磁控溅射的方法在β‑Ga2O3薄膜上原位生长CuCrO2薄膜，从而完成了CuCrO2/β‑Ga2O3异质结的制备。本发明省去了制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器的光刻和刻蚀等步骤，大大降低了工艺复杂度和制备成本，为大量制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器提供了一种简便的方法。此外，采用本发明方法生长出来的CuCrO2薄膜表面致密，且厚度稳定均一。这种高质量的CuCrO2薄膜可以使光生载流子具有较高的迁移率，提高了收集效率，从而使光电探测器的性能更加优异。