公开(公告)号：CN119167867A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410944236.4

申请日：2024-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈卿芳 ,  谢昂志 ,  罗伟恒 ,  林恒毅 ,  张志伟

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/3947 ,  G06F30/398

Abstract: 一种集成电路设计实现系统、验证方法及计算机程序产品。集成电路设计实现系统包含合成工具，用以：接收每个第一元件的行为描述；基于多个第一元件的行为描述产生多个第一网络连线表；接收多个第二元件的连接信息，连接信息包含多个第一元件及多个第二元件之间的实体配置及连接性；产生多个第三元件，每个第三元件可操作地对应于由多个第一元件中的一者及多个第二元件中的一者所形成的配对之间的界面；以及基于第一、第二、第三顶点及边缘来将多个第一网络连线表转变为第二网络连线表。多个第一顶点、多个第二顶点及多个第三顶点分别对应于多个第一元件、多个第二元件及多个第三元件。

公开(公告)号：CN115994512A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210625559.8

申请日：2022-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林璟伊 ,  张丰愿 ,  陈柏羽 ,  黄博祥 ,  张志伟 ,  李志纯

IPC: G06F30/398 ,  H01L27/02 ,  G01N25/20 ,  G06F115/02

Abstract: 一种方法包括：接收集成电路的布局；基于布局识别至少一个第一网络和至少一个第二网络，其中第一网络沿垂直方向延伸穿过集成电路，并且第二网络沿垂直方向终止于集成电路的中间部分；将集成电路划分为多个网格单元，其中第一网络由多个网格单元的第一子集构成，第二网络由多个网格单元的第二子集构成；估计每个第一网格单元子集的第一热导率；估计每个第二网格单元子集的第二热导率；结合第一热导率和第二热导率，估计集成电路的等效热导率。

公开(公告)号：CN113204937A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011408581.4

申请日：2020-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 维尔马·阿纽拉 ,  徐孟楷 ,  张志伟

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394

Abstract: 本揭露提供一种调整单元布局的方法，包括获得单元群组中的每个单元的特征向量。单元的特征向量包括为表征单元群组而选择的特征集中每个特征的分数值。方法包括：基于单元的特征向量的端点之间的距离，将群组中的单元群集化入选定数目的群集中。方法包括以下步骤：基于与特征集相关联的优先级特征列表，在选定数目的群集中生成排序临界单元列表。方法包括：基于排序临界单元，输出排序临界单元列表，以用于调整单元布局。

公开(公告)号：CN118821704A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410849411.1

申请日：2024-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾嘉辉 ,  黎家豪 ,  曾维敏 ,  温俊贤 ,  高章瑞 ,  张志伟

IPC: G06F30/392

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路设计系统，包括用于对IC布局执行热分析的处理器，所述IC布局包括具有在厚度方向上一个接一个堆叠的多个导电层的再分布结构。响应于第一导电层的特性满足第一条件，所述处理器将第一建模规则应用于所述第一导电层以获得第一模型，并且响应于第二导电层的特性满足第二条件但不满足所述第一条件，所述处理器将不同于所述第一建模规则的第二建模规则应用于所述第二导电层以获得第二模型。处理器基于第一和第二模型对IC布局执行热模拟，并且基于热模拟结果修改IC布局或者继续制造与IC布局相对应的一个或多个IC器件。本发明的实施例还提供了一种集成电路设计方法和一种计算机程序产品。

公开(公告)号：CN118173501A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410075427.1

申请日：2024-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄翰祥 ,  温俊贤 ,  叶庭聿 ,  张志伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括提供具有多个第一连接结构的半导体芯片，多个第一连接结构设置在多个金属化层的最顶部金属化层上。该方法包括形成包括多个导电层和多个通孔结构的再分布结构，多个导电层的相邻导电层通过多个通孔结构的至少对应的一个通孔结构连接。该方法包括将多个第一连接器结构接合至再分布结构。该方法包括通过多个第二连接结构将再分布结构接合至载体衬底。形成再分布结构包括围绕多个通孔结构中的第二通孔结构横向旋转多个通孔结构的第一通孔结构，第一通孔结构垂直地位于第二通孔结构之上。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法和半导体封装件。