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公开(公告)号：CN109119383A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810290924.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括：第一衬底，其包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一裸片，其放置于所述第一衬底的所述第二表面上方；多个第一导电凸块，其放置于所述第一裸片与所述第一衬底之间；模塑件，其放置于所述第一衬底上方且环绕所述第一裸片及所述多个第一导电凸块；第二衬底，其放置于所述第一衬底的所述第一表面下方；多个第二导电凸块，其放置于所述第一衬底与所述第二衬底之间；及第二裸片，其放置于所述第一衬底与所述第二衬底之间。
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公开(公告)号：CN114765149A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110578084.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/78
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体封装以及其制造方法。半导体封装包含至少一个半导体管芯、插入件、包封体、保护层以及连接件。插入件具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。半导体管芯设置在插入件的第一表面上且与插入件电连接。包封体设置在插入件上方且横向地包封至少一个半导体管芯。连接件设置在插入件的第二表面上且通过插入件与至少一个半导体管芯电连接。保护层设置在插入件的第二表面上且环绕连接件。插入件的侧壁包含连接到第二表面的倾斜侧壁，且保护层与插入件的倾斜侧壁接触。
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公开(公告)号：CN110544687A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910146963.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装结构及用于形成半导体封装结构的方法，所述半导体封装结构包含：衬底；第一半导体裸片及第二半导体裸片，其位于所述衬底上方；及多热接口材料TIM结构，其经安置于所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片上方。所述第一半导体裸片包含第一热输出，且所述第二半导体裸片包含小于所述第一热输出的第二热输出。所述多TIM结构包含经安置于所述第一半导体裸片的至少一部分上方的第一TIM层及第二TIM层。所述第一TIM层的导热系数高于所述第二TIM层的导热系数。所述第一TIM层覆盖所述第一半导体裸片。
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公开(公告)号：CN109786262A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810162000.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合至互连管芯。互连管芯包括位于第一器件管芯上方并接合至第一器件管芯的第一部分以及位于第二器件管芯上方并接合至第二器件管芯的第二部分。互连管芯将第一器件管芯电连接至第二器件管芯。该方法还包括将互连管芯密封在密封材料中，并且在互连管芯上方形成多条再分布线。本发明的实施例还涉及互连芯片。
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公开(公告)号：CN117276203A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311348978.2
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装结构和用于制作半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含第一封装、所述第一封装上方的第二封装、所述第一封装与所述第二封装之间的多个连接器和所述第一封装与所述第二封装之间的多个挡板结构。所述第二封装包含接合区域和包围所述接合区域的外围区域。所述连接器安置于所述接合区域中以提供所述第一封装与所述第二封装之间的电连接。所述挡板结构安置于所述外围区域中且彼此间隔。
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公开(公告)号：CN115440596A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210067037.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方，其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上，而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有不同的高度的多个外部端子，其中形成在电路衬底的第一区中的外部端子的第一外部端子和形成在电路衬底的第二区中的外部端子的第二外部端子是非共面的。
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公开(公告)号：CN109786262B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810162000.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合至互连管芯。互连管芯包括位于第一器件管芯上方并接合至第一器件管芯的第一部分以及位于第二器件管芯上方并接合至第二器件管芯的第二部分。互连管芯将第一器件管芯电连接至第二器件管芯。该方法还包括将互连管芯密封在密封材料中，并且在互连管芯上方形成多条再分布线。本发明的实施例还涉及互连芯片。
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公开(公告)号：CN112310010A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910982516.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装体包括重布线结构、至少一个半导体装置及多个散热膜。所述至少一个半导体装置安装在所述重布线结构上。所述多个散热膜以并排的方式设置在所述至少一个半导体装置上，且共同地覆盖所述至少一个半导体装置的上表面。一种制造半导体封装体的方法也被提供。
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公开(公告)号：CN108807283A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710992220.0
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本公开公开一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括：衬底，其具有前表面及背表面；中介层上覆芯片结构，其安装于所述衬底的所述前表面上；背侧加强件，其从背表面透视图看，安装于所述衬底的所述背表面上方且围绕所述中介层上覆芯片结构的突部；及多个导电凸块，其安装于所述衬底的所述背表面上。
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公开(公告)号：CN118173501A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410075427.1
申请日：2024-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括提供具有多个第一连接结构的半导体芯片，多个第一连接结构设置在多个金属化层的最顶部金属化层上。该方法包括形成包括多个导电层和多个通孔结构的再分布结构，多个导电层的相邻导电层通过多个通孔结构的至少对应的一个通孔结构连接。该方法包括将多个第一连接器结构接合至再分布结构。该方法包括通过多个第二连接结构将再分布结构接合至载体衬底。形成再分布结构包括围绕多个通孔结构中的第二通孔结构横向旋转多个通孔结构的第一通孔结构，第一通孔结构垂直地位于第二通孔结构之上。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法和半导体封装件。
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