-
公开(公告)号：CN107452595A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710293157.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属-半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属-半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。
-
公开(公告)号：CN119644613A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411302089.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了空间光调制器器件及其形成方法。空间光调制器器件包括位于衬底上的空间光调制器单元阵列。每个空间光调制器单元包括：层堆叠，其包括相变材料板、位于相变材料板下方的间隔件介电材料板和位于间隔件介电材料板下方并包括外侧壁的金属加热器板；以及底部电极通孔结构的对，其接触金属加热器板的底面的相应表面区段。金属加热器板的每个外侧壁与间隔件介电材料板的相应侧壁和相变材料板的对应侧壁垂直重合。
-
公开(公告)号：CN107026174B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201610842651.4
申请日：2016-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本公开的实施例涉及能够与分栅式闪存单元一起形成并且提供每单位面积高电容的叉指电容器及其形成方法。在一些实施例中，该叉指电容器具有设置在半导体衬底的上表面内的阱区。多个沟槽从该半导体衬底的上表面垂直延伸至阱区内的位置处。下部电极布置在多个沟槽内。该下部电极通过沿多个沟槽的内表面布置的电荷捕获介电层与阱区分隔开。多个上部电极在通过电荷捕获介电层与下部电极横向分隔开以及通过第一介电层与阱区垂直分隔开的位置处布置在半导体衬底上方。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452595B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710293157.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。
-
公开(公告)号：CN107026174A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610842651.4
申请日：2016-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本公开的实施例涉及能够与分栅式闪存单元一起形成并且提供每单位面积高电容的叉指电容器及其形成方法。在一些实施例中，该叉指电容器具有设置在半导体衬底的上表面内的阱区。多个沟槽从该半导体衬底的上表面垂直延伸至阱区内的位置处。下部电极布置在多个沟槽内。该下部电极通过沿多个沟槽的内表面布置的电荷捕获介电层与阱区分隔开。多个上部电极在通过电荷捕获介电层与下部电极横向分隔开以及通过第一介电层与阱区垂直分隔开的位置处布置在半导体衬底上方。
-
公开(公告)号：CN219719008U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202321192256.8
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N70/20
Abstract: 一种半导体结构，包含：介电绝缘层、加热器线、相变材料线、第一电极、以及第二电极。介电绝缘层具有顶表面并且位在基板上方。加热器线接触顶表面的第一区域。相变材料线包含：中间部分其覆盖加热器线、第一端部其邻接中间部分的第一侧并接触顶表面的第二区域、以及第二端部其邻接中间部分的第二侧并接触顶表面的第三区域。第一电极接触相变材料线的第一端部的侧壁并接触顶表面的第四区域。第二电极接触相变材料线的第二端部的侧壁并接触顶表面的第五区域。
-
公开(公告)号：CN221689163U
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202420119418.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种相变材料开关可包括：第一内连线级介电质；散热片，形成于第一内连线级介电质内；第二内连线级介电质，形成于散热片之上；相变材料组件，形成于第二内连线级介电质之中或之上；第一电极及第二电极，与相变材料组件进行导电性接触；以及加热组件，耦合至相变材料组件且被配置成向相变材料组件供应热脉冲。散热片可位于相变材料组件及加热组件中的第一者附近且散热片可小于相变材料组件。可利用与用于形成电性内连线的材料及工艺相似的材料及工艺来形成散热片，但与电性内连线不同，散热片可与电性内连线电性隔开。
-
公开(公告)号：CN220342756U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321598824.4
申请日：2023-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N70/20
Abstract: 一种相变化材料装置及相变化材料射频开关，相变化材料装置的改良结构用以有助于防止热散逸。在一个实例中，相变化材料装置为一相变化材料射频开关，相变化材料射频开关具有一基板、一加热器、一介电/绝缘体层、多个氧化层、多个电极、一相变化材料区及/或任何其他元件。该多个氧化层用以有助于防止来自该加热器的热散逸。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.042 seconds)
