一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN119191722A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411375255.6

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,属于氧化物薄膜技术领域。超声清洗导电玻璃ITO基片,采用射频磁控溅射法制备非晶WO3薄膜,退火处理得到结晶态的WO3薄膜3,继续采用磁控溅射方法制备WO3薄膜,得到双层薄膜。优点是制备的双层电致变色薄膜既具有晶态WO3的良好循环稳定性,又具有非晶WO3大的透过率调制幅度和短的变色响应时间。上层的非晶结构层,有利于缩短薄膜变色的响应时间,同时下层晶态结构层保证了薄膜的循环稳定性,二者的协同作用使该异质结构WO3兼备了非晶和晶态WO3的优点,从而展示出优异的电致变色综合性能。同时也研究了晶态和非晶态WO3材料在电致变色过程中的调控机理。

    智慧实验室安全管理系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116468276A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310440294.9

    申请日:2023-04-23

    Abstract: 本申请公开了一种智慧实验室安全管理系统,在实验室中的有害气体的浓度在第一设定范围内的情况下,控制排风系统打开,以稀释有害气体的浓度;在打开排风系统之后,如果实验室当前允许打开智能窗,控制智能窗打开,以加快稀释有害气体的浓度,以避免有害气体对人体的危害;如果实验室当前不允许打开智能窗,获取有害气体的浓度在第一设定范围内对应的第一报警信息,以及将第一报警信息发送至报警模块进行报警,以使得处于实验室内的人员及时了解到当前实验室的情况;在设定时长后实验室中的有害气体的浓度不降低反而增大的情况下,表示当前实验室环境在不断产生有害气体,及时警示人员及时离开实验室,以及时避免有害气体对人体的危害。

    一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN113314642B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110590641.7

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法,包括:步骤一、对衬底进行预处理后,通过光刻剥离技术在衬底上曝光显影出栅极区域,并在栅极区域蒸镀导电膜,得到第一基底;步骤二、在第一基底上通过光刻剥离技术显影出第一堆叠区域,在第一堆叠区域沉积Ta2O5薄膜,得到第二基底;其中,第一堆叠区域栅极区域部分重叠;步骤三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉积MgO薄膜,得到第三基底;步骤四、在第三基底的MgO薄膜上沉积Mg0.5Zn0.5O薄膜,得到第四基底;步骤五、在第四基底上通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠区域,在第二堆叠层区域沉积叉指电极层,得到晶体管;其中,第二堆叠区域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方,并且第二堆叠区域的边缘与Mg0.5Zn0.5O薄膜的边缘完全重合。

    一种微电子器件封装焊接机及其控制方法

    公开(公告)号:CN110369840B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201910676145.6

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机,包括:底板;顶板,其设置在所述底板上方;输送带,其可拆卸设置在所述底板上,能够运送微电子器件的底座和封盖;定位架,可旋转支撑在所述底板上,位于所述输送带一侧,能够定位和固定微电子器件的底座;第一伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;焊接枪,其连接所述第一伸缩架另一端,并与所述定位架同轴设置;第二伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;封装架,其连接所述第二伸缩架另一端,能够夹持所述微电子器件的封盖,利用输送架将封装底座和封装盖,输送至焊接枪和封装架工位进行封装,无需人力干预,且可同时输送多个待封装件,生产效率高,本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。

Patent Agency Ranking