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公开(公告)号:CN119191722A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411375255.6
申请日:2024-09-30
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1524
Abstract: 本发明涉及一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,属于氧化物薄膜技术领域。超声清洗导电玻璃ITO基片,采用射频磁控溅射法制备非晶WO3薄膜,退火处理得到结晶态的WO3薄膜3,继续采用磁控溅射方法制备WO3薄膜,得到双层薄膜。优点是制备的双层电致变色薄膜既具有晶态WO3的良好循环稳定性,又具有非晶WO3大的透过率调制幅度和短的变色响应时间。上层的非晶结构层,有利于缩短薄膜变色的响应时间,同时下层晶态结构层保证了薄膜的循环稳定性,二者的协同作用使该异质结构WO3兼备了非晶和晶态WO3的优点,从而展示出优异的电致变色综合性能。同时也研究了晶态和非晶态WO3材料在电致变色过程中的调控机理。
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公开(公告)号:CN113644164B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202110918197.7
申请日:2021-08-11
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , H01L31/0296 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法,包括如下步骤:步骤一、对衬底进行预处理,并在所述衬底的上方蒸镀导电膜;步骤二、在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域并在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al2O3和HfO2制备出DBR薄膜;步骤三、在所述DBR薄膜上方沉积Mg0.5Zn0.5O光敏层;步骤四、在所述Mg0.5Zn0.5O光敏层上曝光显影出第二堆叠区域,并在所述第二堆叠区域沉积叉指电极层,获得用于深紫外光探测的光敏晶体管。本发明具
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公开(公告)号:CN116658962A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310535340.3
申请日:2023-05-12
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本申请公开了一种基于空气循环的供暖方法及相关装置,所述基于空气循环的供暖方法应用于供暖系统的控制设备,所述供暖系统用于对房间进行供暖,所述供暖系统包括温度传感器及多个供暖组件,每个供暖组件包括电热设备、吹气设备以及吸气设备;所述供暖系统通过获取用户的位置确定第一目标供暖组件以及第二目标供暖组件,使第一目标供暖组件对空气进行加热,并将加热的空气吹向用户,再通过第二目标供暖组件对热空气进行抽取,提高用户周围的热空气的流动,从而提高供暖系统的供暖灵活性和供暖效率。
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公开(公告)号:CN116468276A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310440294.9
申请日:2023-04-23
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本申请公开了一种智慧实验室安全管理系统,在实验室中的有害气体的浓度在第一设定范围内的情况下,控制排风系统打开,以稀释有害气体的浓度;在打开排风系统之后,如果实验室当前允许打开智能窗,控制智能窗打开,以加快稀释有害气体的浓度,以避免有害气体对人体的危害;如果实验室当前不允许打开智能窗,获取有害气体的浓度在第一设定范围内对应的第一报警信息,以及将第一报警信息发送至报警模块进行报警,以使得处于实验室内的人员及时了解到当前实验室的情况;在设定时长后实验室中的有害气体的浓度不降低反而增大的情况下,表示当前实验室环境在不断产生有害气体,及时警示人员及时离开实验室,以及时避免有害气体对人体的危害。
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公开(公告)号:CN112434626B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202011375733.5
申请日:2020-11-30
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: G06V40/16 , G06V20/52 , G06V20/40 , H04W4/02 , H04W4/029 , H04W64/00 , H04N7/18 , H04L67/025 , H04L67/52 , G16Y20/10 , G16Y20/40 , G16Y40/10 , G16Y40/60
Abstract: 本申请公开了一种视力障碍者在景区中的位置监控方法及装置,在视力障碍者的穿戴设备需要上报位置的上报时刻未接收穿戴设备上报的位置时,服务设备先指示视力障碍者服务人员反馈视力障碍者的位置,然后若视力障碍者服务人员反馈未发现视力障碍者,则根据穿戴设备前至少两次上报的位置预估视力障碍者的第一位置,再然后获取第一位置附近的图像采集装置集到的视频数据,以及根据该视频数据确定视力障碍者的第二位置,最后将第二位置告知给视力障碍者服务人员,以使得视力障碍者服务人员及时寻找到视力障碍者,以确保视力障碍者的安全。
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公开(公告)号:CN113314642B
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202110590641.7
申请日:2021-05-28
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法,包括:步骤一、对衬底进行预处理后,通过光刻剥离技术在衬底上曝光显影出栅极区域,并在栅极区域蒸镀导电膜,得到第一基底;步骤二、在第一基底上通过光刻剥离技术显影出第一堆叠区域,在第一堆叠区域沉积Ta2O5薄膜,得到第二基底;其中,第一堆叠区域栅极区域部分重叠;步骤三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉积MgO薄膜,得到第三基底;步骤四、在第三基底的MgO薄膜上沉积Mg0.5Zn0.5O薄膜,得到第四基底;步骤五、在第四基底上通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠区域,在第二堆叠层区域沉积叉指电极层,得到晶体管;其中,第二堆叠区域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方,并且第二堆叠区域的边缘与Mg0.5Zn0.5O薄膜的边缘完全重合。
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公开(公告)号:CN110369840B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201910676145.6
申请日:2019-07-25
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机,包括:底板;顶板,其设置在所述底板上方;输送带,其可拆卸设置在所述底板上,能够运送微电子器件的底座和封盖;定位架,可旋转支撑在所述底板上,位于所述输送带一侧,能够定位和固定微电子器件的底座;第一伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;焊接枪,其连接所述第一伸缩架另一端,并与所述定位架同轴设置;第二伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;封装架,其连接所述第二伸缩架另一端,能够夹持所述微电子器件的封盖,利用输送架将封装底座和封装盖,输送至焊接枪和封装架工位进行封装,无需人力干预,且可同时输送多个待封装件,生产效率高,本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。
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公开(公告)号:CN112596575A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011521558.6
申请日:2020-12-21
Applicant: 吉林建筑大学
Inventor: 迟耀丹 , 陈兵 , 赵阳 , 王琰妮 , 杨小天 , 吴博琦 , 王超 , 赵春雷 , 高晓红 , 杨佳 , 闫兴振 , 杨帆 , 慕雨松 , 王艳杰 , 曹煜 , 袁旭 , 王旭 , 刘秀琦 , 李腾
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明公开了一种基于NPSO算法与分等级自动重启的最大功率点跟踪方法,是在一种基于NPSO算法的最大功率点跟踪方法前增加了分等级自动重启方法,基于NPSO算法的最大功率点跟踪方法是在PSO算法的基础上,以PWM信号的占空比D作为种群粒子的位置,以输出功率作为种群粒子的适应值,将种群粒子分为收敛粒子和自由粒子,收敛粒子与PSO算法中的粒子性质一致,自由粒子不具有记忆性,收敛粒子和自由粒子进行同代更新,在每次更新后通过收敛粒子和自由粒子的位置更新收敛粒子的个体最优位置以及种群的全局最优位置;在收敛粒子陷入局部最优解即局部最优位置时,利用自由粒子将收敛粒子拉出局部最优解。提高了发电效率和稳定性。
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公开(公告)号:CN110047240B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201910173372.7
申请日:2019-03-07
Applicant: 吉林建筑大学
Inventor: 迟耀丹 , 吴博琦 , 王立光 , 赵春雷 , 赵阳 , 王超 , 高晓红 , 杨小天 , 初学峰 , 闫兴振 , 杨帆 , 王欢 , 吕卅 , 杨佳 , 刘安琪 , 陈颖 , 朱同 , 胡为旭 , 刘永峰
Abstract: 本申请实施例提供的提出了一种基于物联网的智能消防警示导引系统与方法,该系统部署在人居建筑物当中,从而基于物联网在火情发生后能够实时感应火情状况信息,统计追踪人员分布,监测建筑物中消防设施、安全通道的位置和工作状态,进而给予疏散人员安全性和通畅度最优化的逃生路径的导引,并对逃生过程的风险进行警示,对逃生过程中可以获取的救援或工具给予提示,并且,还可以向救援人员提示建筑物内火情、人员分布的实时状态,告知消防设施、安全通道位置和可用程度,有利于科学有效的救援策略制定和救援灭火实施。
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公开(公告)号:CN110335820A
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201910623620.3
申请日:2019-07-11
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了蛋白质基底上p型薄膜晶体管制备方法,包括:步骤一、将带有源漏电极图案的掩模板覆盖于可溶的硬质基底上,进行源漏电极材料沉积,得源漏电极基底;步骤二、将带有有源层图案的掩模板覆盖于所述源漏电极基底之上,进行有源层材料沉积,得有源层基底;步骤三、将所述有源层基底沉积绝缘层,得绝缘层基底;蒸镀铝薄膜,得初级器件并进行退火处理;步骤四、将蛋白质溶液涂覆于所述初级器件表面,待溶剂挥发后,得到蛋白质薄膜覆盖器件;步骤五、将所述蛋白质薄膜覆盖器件置于水中,使所述硬质基底溶解后,得到可降解薄膜晶体管器件。
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