公开(公告)号：CN101863670A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010211745.4

申请日：2010-06-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡津 ,  刘刚 ,  侯震

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/81

Abstract: 改变氧化铋涂覆硼酸盐晶须增强铝基复合材料界面结构的预制件烧结工艺，它涉及一种预制件烧结工艺。本发明利用晶须与氧化铋之间的化学反应获得不同的反应产物，使复合材料具有不同的界面结构和界面状态，以获得具有不同性能的复合材料。本发明将预制件在450℃～670℃、680～810℃或820～1000℃的条件下烧结。由于氧化铋涂层在一定条件下与硼酸盐晶须发生反应，可以获得Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)涂层，通过控制烧结时间调整Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)的比例，然后通过挤压铸造的方法利用经过本发明处理的预制件制备复合材料。获得的界面仅含有Al4Bi2O9相的复合材料的界面阻尼达到高阻尼水平(阻尼值Q-1＞0.1)。

公开(公告)号：CN101698913B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910309794.9

申请日：2009-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡津 ,  刘刚 ,  侯震

IPC: C22C21/00 ,  C22C32/00 ,  B22D17/00 ,  C22C47/12 ,  C22C49/06 ,  C22C49/14 ,  C22C101/22 ,  C22C101/14

Abstract: 低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法，它涉及一种涂覆陶瓷相增强体的方法。本发明解决了溶胶凝胶方法在增强体表面涂覆涂层的工艺复杂的问题。本发明方法如下：将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两种或两种以上添加到稀硝酸溶液中所得的混合液与氨水溶液滴加到增强体溶液中至pH值为6～14，再将增强体制成预制件在350℃～1100℃的温度下保温，即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体，然后利用挤压铸造铸造的方法制备复合材料。本发明方法工艺简单，缩短了复合材料的生产周期，应用本发明所得铝基复合材料在温度为25℃、频率为70Hz的条件下的阻尼值为0.016～0.018。

公开(公告)号：CN101698913A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910309794.9

申请日：2009-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘刚 ,  胡津 ,  侯震

IPC: C22C21/00 ,  C22C32/00 ,  B22D17/00 ,  C22C47/12 ,  C22C49/06 ,  C22C49/14 ,  C22C101/22 ,  C22C101/14

Abstract: 低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法，它涉及一种涂覆陶瓷相增强体的方法。本发明解决了溶胶凝胶方法在增强体表面涂覆涂层的工艺复杂的问题。本发明方法如下：将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两种或两种以上添加到稀硝酸溶液中所得的混合液与氨水溶液滴加到增强体溶液中至pH值为6～14，再将增强体制成预制件在350℃～1100℃的温度下保温，即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体，然后利用挤压铸造的方法制备复合材料。本发明方法工艺简单，缩短了复合材料的生产周期，应用本发明所得铝基复合材料在温度为25℃、频率为70Hz的条件下的阻尼值为0.016～0.018。