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公开(公告)号：CN105849929A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN109476494A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044504.5
申请日：2017-07-25
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 国立大学法人弘前大学
Abstract: 提供不需要还原剂，并且在低温的反应条件下，以短时间并较少的能量来能够简单地将钙铝石型化合物电子晶体化的制备方法。电子晶体化钙铝石型化合物的制备方法，通过在加热状态下对钙铝石型化合物施加电压而使电流直接流动于上述钙铝石型化合物中来使上述钙铝石型化合物电子晶体化。
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公开(公告)号：CN106277000A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610637803.7
申请日：2013-08-20
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: C01F7/16 , C01C1/04 , B01J23/02 , B01J23/58 , B01J35/10 , B01J37/02 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J37/10 , B01J37/16 , B01J37/18 , B01J37/34
CPC classification number: B01J21/16 , B01J23/02 , B01J23/462 , B01J23/58 , B01J35/0006 , B01J35/0033 , B01J35/026 , B01J35/1009 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J37/082 , B01J37/10 , B01J37/16 , B01J37/18 , B01J37/347 , C01B33/26 , C01C1/0411 , C01F7/02 , C01F7/164 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , Y02P20/52 , Y10T428/2982 , B01J37/02
Abstract: 人们期待着将导电性钙铝石型化合物应用于冷电子发射器、导电体、有机EL电子注入电极、热电转换材料、热电子发电材料、还原剂、氧化剂、催化剂等中。如果获得比表面积大的导电性钙铝石型化合物，则各用途的有用性会显著变高。通过利用如下工序而制造传导电子浓度为1015cm-3以上并且比表面积为5m2g-1以上的导电性钙铝石型化合物粉末：(1)将原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成前体粉末的工序；型化合物粉末的工序；(3)将化合物粉末在非活性气体气氛或真空中加热而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序；(4)将前述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序。(2)将前述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石
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公开(公告)号：CN104583129B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201380044557.9
申请日：2013-08-20
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 国立研究开发法人科学技术振兴机构
CPC classification number: B01J21/16 , B01J23/02 , B01J23/462 , B01J23/58 , B01J35/0006 , B01J35/0033 , B01J35/026 , B01J35/1009 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J37/082 , B01J37/10 , B01J37/16 , B01J37/18 , B01J37/347 , C01B33/26 , C01C1/0411 , C01F7/02 , C01F7/164 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , Y02P20/52 , Y10T428/2982
Abstract: 人们期待着将导电性钙铝石型化合物应用于冷电子发射器、导电体、有机EL电子注入电极、热电转换材料、热电子发电材料、还原剂、氧化剂、催化剂等中。如果获得比表面积大的导电性钙铝石型化合物，则各用途的有用性会显著变高。通过利用如下工序而制造传导电子浓度为1015cm‑3以上并且比表面积为5m2g‑1以上的导电性钙铝石型化合物粉末：(1)将原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成前体粉末的工序；(2)将前述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序；(3)将化合物粉末在非活性气体气氛或真空中加热而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序；(4)将前述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序。
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公开(公告)号：CN117836237A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280053812.5
申请日：2022-07-27
Applicant: AGC株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C01B6/04 , C04B35/00 , H01M10/0562
Abstract: 一种氢负离子导体，通式由式(1)表示，Ba2－x－mAxMg1－y－nByH6－x－y－2m－2n (1)，其中，A和B分别选自Li、Na、K、Rb和Cs中至少1种以上，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.2，0≤n≤0.2，其中不包括x＝y＝m＝n＝0。
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