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公开(公告)号：CN108293281A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069408.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。
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公开(公告)号：CN105849929A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN101184697B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680018457.9
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备、高温或长时间的反应以及复杂的反应控制，可以容易地稳定且低成本地得到具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法。它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计：Al2O3)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al2O3的合计在上述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且该方法包括将上述前体和还原剂混合，再将上述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN101184696B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680018456.4
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/002 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C4/14 , C03C10/0036 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/652 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备和复杂的控制的、廉价且大量地制造具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法，以及用该制造方法得到的钙铝石型化合物。它是包括将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca和Al，换算成氧化物的CaO∶Al2O3的摩尔比为12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO与Al2O3的合计为50摩尔％以上，且上述热处理为将上述前体保持在热处理温度T为600～1415℃、且氧分压P02以Pa为单位在P02≤105×exp[{7.9×104/(T+273)}+14.4]所示范围的惰性气体或真空气氛中的热处理。
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公开(公告)号：CN101184697A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018457.9
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备、高温或长时间的反应以及复杂的反应控制，可以容易地稳定且低成本地得到具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法。它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计∶Al2O3)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al2O3的合计在上述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且该方法包括将上述前体和还原剂混合，再将上述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN101184696A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018456.4
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/002 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C4/14 , C03C10/0036 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/652 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备和复杂的控制的、廉价且大量地制造具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法，以及用该制造方法得到的钙铝石型化合物。它是包括将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca和Al，换算成氧化物的CaO∶Al2O3的摩尔比为12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO与Al2O3的合计为50摩尔％以上，且上述热处理为将上述前体保持在热处理温度T为600～1415℃、且氧分压P02以Pa为单位在P02≤105×exp[{－7.9×104/(T+273)}+14.4]所示范围的惰性气体或真空气氛中的热处理。
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