公开(公告)号：CN1622323A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410094953.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  劳伦斯·A.·克莱温格 ,  蒂莫西·J.·达尔顿 ,  许履尘 ,  卡尔·拉登斯 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于高布线密度半导体的制造“Lego”形互锁接触的结构和方法，特征在于在接触过孔中形成的阻挡衬里只有一部分向上延伸到相邻的布线层中。因而，可以避免电流拥挤和与常规现有技术互连结构相关的可靠性问题，并且增强接触过孔(金属栓塞)结构的结构完整性。由于表面积的增加，所制造的向上延伸的新颖的“王冠”形的Lego形互锁接触结构可以用于其它集成电路应用，包括形成电容器(例如， MIMCAP)和热沉结构。

公开(公告)号：CN1218991A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98119185.1

申请日：1998-09-15

Applicant: 西门子公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 乌尔里克·格里宁 ,  乔彻·贝因特纳 ,  卡尔·拉登斯

IPC: H01L21/8229

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31 ,  H01L21/763 ,  H01L27/10867 ,  Y10S438/97

Abstract: 一衬垫层配置在衬底上和一缓冲层配置在该衬垫层内,以便把衬垫层分成缓冲层下的介质层和缓冲层上的掩模层。一种在半导体芯片上形成有均匀厚度和平坦性层的方法包括下列各步骤:准备具有形成于其上的热衬垫的一衬底;在该热衬垫上形成介质层;在该介质层上形成缓冲层,其中该缓冲层由不同于该介质层的材料制成;以及在该缓冲层上形成掩模层,其中该缓冲层由不同于该掩模层的材料制成。

公开(公告)号：CN100466267C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610105601.4

申请日：2006-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  理查德·Q·威廉斯 ,  古川俊治 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。

公开(公告)号：CN1132240C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98119185.1

申请日：1998-09-15

Applicant: 西门子公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 乌尔里克·格里宁 ,  乔彻·贝因特纳 ,  卡尔·拉登斯

IPC: H01L21/8229

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31 ,  H01L21/763 ,  H01L27/10867 ,  Y10S438/97

Abstract: 一衬垫层配置在衬底上和一缓冲层配置在该衬垫层内，以便把衬垫层分成缓冲层下的介质层和缓冲层上的掩模层。一种在半导体芯片上形成有均匀厚度和平坦性层的方法包括下列各步骤：准备具有形成于其上的热衬垫的一衬底；在该热衬垫上形成介质层；在该介质层上形成缓冲层，其中该缓冲层由不同于该介质层的材料制成；以及在该缓冲层上形成掩模层，其中该缓冲层由不同于该掩模层的材料制成。

公开(公告)号：CN101410951B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200480002308.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  奥默·H·多库马西 ,  布鲁斯·B·多里斯 ,  奥利格·格卢申科夫 ,  杰克·A·曼德尔曼

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7836 ,  Y10S257/90

Abstract: 一种低GIDL电流MOSFET器件(90)结构及其制备方法，该器件提供了低GIDL电流。该MOSFET器件结构包含其边缘可与源极/漏极扩散(88，88)略微重叠的中部栅极导体(10)，以及通过薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开的侧翼栅极导体(70，70)。

公开(公告)号：CN100377348C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410094953.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  劳伦斯·A.·克莱温格 ,  蒂莫西·J.·达尔顿 ,  许履尘 ,  卡尔·拉登斯 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于高布线密度半导体的制造“Lego”形互锁接触的结构和方法，特征在于在接触过孔中形成的阻挡衬里只有一部分向上延伸到相邻的布线层中。因而，可以避免电流拥挤和与常规现有技术互连结构相关的可靠性问题，并且增强接触过孔(金属栓塞)结构的结构完整性。由于表面积的增加，所制造的向上延伸的新颖的“王冠”形的Lego形互锁接触结构可以用于其它集成电路应用，包括形成电容器(例如，MIMCAP)和热沉结构。

公开(公告)号：CN1897286A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610105601.4

申请日：2006-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  理查德·Q·威廉斯 ,  古川俊治 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。

公开(公告)号：CN1291790A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN99126105.4

申请日：1999-12-10

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术北美公司

Inventor： 查杰塞哈·那拉亚 ,  阿塞尔·布列金格 ,  爱德华·切沃拉 ,  卡尔·拉登斯

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了一种集成电路芯片中的熔丝结构,它包括绝缘的半导体衬底;与绝缘的半导体衬底成一整体的由多个平行的共平面熔丝链组成的熔丝组;以及分散在各对熔丝链之间的空洞,此空洞延伸到共平面熔丝链确定的平面以外。围绕着熔丝烧断操作过程中待要被激光束撞击的斑点的空洞,起裂缝挡板的作用,以防止损伤邻近的电路元件或其它熔丝链。借助于对空洞进行恰当的成形和定位,可以获得熔丝之间的紧密间距。

公开(公告)号：CN101410951A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200480002308.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  奥默·H·多库马西 ,  布鲁斯·B·多里斯 ,  奥利格·格卢申科夫 ,  杰克·A·曼德尔曼

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7836 ,  Y10S257/90

Abstract: 一种低GIDL电流MOSFET器件(90)结构及其制备方法，该器件提供了低GIDL电流。该MOSFET器件结构包含其边缘可与源极/漏极扩散(88，88)略微重叠的中部栅极导体(10)，以及通过薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开的侧翼栅极导体(70，70)。

公开(公告)号：CN100346456C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410094952.0

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  拉玛·迪瓦卡拉尼 ,  许履尘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明描述一种超薄可测量MOSFET晶体管及制造方法。该晶体管的特征是完全自对准、SOI晶片上抬升的源/漏结，并且显示出低接触电阻、低栅电阻和良好的器件隔离特征。除了传统处理所需要的步骤之外，不需要额外的光刻掩模步骤。该晶体管被STI(浅沟槽隔离)完全“框入”或者包围，在它与SOI晶片上任何其他器件之间提供了内在隔离。在栅区域的外部形成了栅侧壁隔离物，从而比例缩放度唯一地受光刻分辨率限制。