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公开(公告)号：CN114424675B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201980100473.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/02 , G09F9/30 , H10K59/122 , H10K59/121 , H10K50/844 , H10K59/131 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 显示装置(2)具备与第1电源干配线(Mf)接触的第1金属凸部(T1)、以及与第2电源干配线(Ms)接触的第2金属凸部(T2)，规定有机密封膜(T1)及第2金属凸部(T2)；以及第1树脂凸部(Jf)，其以与第1金属凸部及第2金属凸部重叠的方式按框状形成于与边缘覆盖膜(23)相同的层。(27)的端部的第1堤(BK1)包含：第1金属凸部
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公开(公告)号：CN110476255B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780089175.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS‑TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
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公开(公告)号：CN113474830B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201980092859.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在TFT层形成工序中，首先，在通过进行半导体层形成工序来形成树脂基板(10)上的半导体层之后，通过进行栅极绝缘膜形成工序来形成栅极绝缘膜(13)以覆盖半导体层，接着，通过进行第一金属膜成膜工序、第一光刻工序以及第一蚀刻工序来形成第一金属层(14a)，进而，通过进行第二金属膜成膜工序、第二光刻工序以及第二蚀刻工序来形成第二金属层(15a)，从而形成层叠有第一金属层(14a)及第二金属层(15a)的栅极层(16a)。
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公开(公告)号：CN111433929B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201780095304.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)的剖面中，在构成TFT层的至少一层的无机膜(L)上形成向上方开口的第一开口部(Aa)，以填埋第一开口部(Aa)的方式设置第一有机膜(21a)，在第一有机膜(21a)上设置边框配线(12ea)，以覆盖边框配线(12ea)的方式设置第二有机膜(13a)，在第一有机膜(21a)上形成与第一开口部(Aa)相比在内侧向上方开口的第二开口部(Ab)。
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公开(公告)号：CN112136169B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880093580.X
申请日：2018-05-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在设置于基底基板(10)上的TFT层(30a)中，依次层叠有第一金属膜、第一无机绝缘膜(15)、第二金属膜、第二无机绝缘膜(17)、第三金属膜、第一平坦化膜(19a)、第四金属膜及第二平坦化膜(21)，在边框区域(F)中，在第二平坦化膜(21)以包围显示区域的方式形成有狭缝(S)，在从狭缝(S)露出的第一平坦化膜(19a)上设置有由第四金属膜形成的第一导电层(20a)，在第一导电层(20a)的基底基板(10)侧以与第一导电层(20a)重叠的方式设置有驱动电路(C)的TFT(9)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111602190B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880086484.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种显示设备(2)，其以提高在背板中的间隔物的高度精度作为目的，该显示设备(2)包括包含第一电极(22)露出的多个开口(23c)的所述边缘罩(23)、包含第一平坦部、第二平坦部(21b)以及接触孔(21c)的平坦化膜(21)，所述显示设备的特征在于，所述多个开口(23c)的每一个，在俯视下与所述第一平坦部(21a)重叠，在俯视下所述多个开口(23c)之间具有所述第二平坦部(21b)，从所述平坦化膜(21)的基板侧的底面(21d)到在俯视下与所述第一平坦部(21a)重叠的所述边缘罩(23)的第二电极(25)侧的表面(21m)为止的高度(H1)低于从所述底面(21d)到所述第二平坦部(21b)的第二电极(25)侧的表面(21u)为止的高度(H2)。
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公开(公告)号：CN111902855B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201880091769.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示装置的制造方法，在形成由第一金属层构成的多个控制线(G)的工序中，形成将相邻的控制线彼此局部连接的第一金属层分支线(Ga)。在形成由第二金属层构成的多个电源线(P)的工序中，形成经由第一绝缘膜(18)的通孔而使电源线与第一金属层分支线连接的第二金属层连接部(Pb)。将控制线/电源线与显示区域(55)外的电路元件(57)连接，使第一金属层分支线/第二金属层连接部切割。
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公开(公告)号：CN111886925A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091493.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 显示设备(2)在非显示区域(NA)的边缘盖上设置有缝隙(H)，在狭缝(H)中，在阳极(22)上连接同层的第一导电层(22M)、和阴极(25)，以使在电容电极(CE)上同层的第二金属层(CM)与狭缝(H)重叠方式设置。
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公开(公告)号：CN108780621B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201780018517.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN111108541A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201780095192.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在柔性有机EL显示装置(50)中，以填埋狭缝(BH)的方式形成有第一树脂层(13)，该第一树脂层具有：与第一导电构件(9A)重叠的开口(TH1)；与第二导电构件9C重叠的开口(TH4)；以及与第三导电构件(9B)重叠的开口(TH2)及开口(TH3)。
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