公开(公告)号：CN105027296A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012341.9

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。

公开(公告)号：CN101490850B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200780027041.8

申请日：2007-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/78627 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子装置。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括电阻元件，在使用薄膜晶体管作为电阻元件的情况下，不增大元件面积也能抑制电阻值的偏差，并且制造工序简化。本发明的半导体装置在基板上包括作为电阻元件使用的第一薄膜晶体管和具备半导体层的第二薄膜晶体管，所述半导体层具有杂质浓度不同的低浓度漏极区域和高浓度漏极区域，其中，所述第一薄膜晶体管的半导体层的沟道区域的杂质浓度与第二薄膜晶体管的半导体层的低浓度漏极区域的杂质浓度相同。

公开(公告)号：CN101617352A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200780051942.0

申请日：2007-12-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供能够提高配线设计的自由度、抑制配线不良并且使配线配置面积狭小化的显示装置用基板、显示装置以及配线基板。本发明是具有将多层层间绝缘膜和三层以上的配线层交替层叠在基板的一方主面侧的结构的显示装置用基板，上述显示装置用基板具有数据配线，上述数据配线位于作为从基板侧起第三个配线层的第三配线层或者位于比上述第三配线层更上层的配线层。

公开(公告)号：CN100508122C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上；进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN1670915A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN101622715B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880006486.2

申请日：2008-01-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在同一基板上形成特性不同的薄膜晶体管并且具有高性能和高可靠性的半导体装置及其制造方法。本发明是在基板上层叠第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘膜以及第二绝缘膜的半导体装置，上述第一半导体层具有第一沟道区域和包含第一接触部的第一源极/漏极区域，上述第二半导体层具有第二沟道区域和包含第二接触部的第二源极/漏极区域，上述第一绝缘膜形成在包含第二沟道区域并且除了第一沟道区域、第一接触部以及第二接触部之外的区域上，上述第二绝缘膜形成在第一沟道区域和第一绝缘膜的与第二沟道区域相对的区域上，并且与除了第一接触部之外的第一源极/漏极区域和除了第二接触部之外的第二源极/漏极区域相对而形成。

公开(公告)号：CN101490850A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027041.8

申请日：2007-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/78627 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子装置。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括电阻元件，在使用薄膜晶体管作为电阻元件的情况下，不增大元件面积也能抑制电阻值的偏差，并且制造工序简化。本发明的半导体装置在基板上包括作为电阻元件使用的第一薄膜晶体管和具备半导体层的第二薄膜晶体管，所述半导体层具有杂质浓度不同的低浓度漏极区域和高浓度漏极区域，其中，所述第一薄膜晶体管的半导体层的沟道区域的杂质浓度与第二薄膜晶体管的半导体层的低浓度漏极区域的杂质浓度相同。

公开(公告)号：CN103403850B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280011119.8

申请日：2012-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人 ,  加藤纯男

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H05B37/02

Abstract: 本发明提供能够抑制制造成本并且大幅改善电流驱动力的薄膜晶体管。通过热处理，被钛电极（65）夺取氧的IGZO层（45）成为低电阻区域（40b），未被夺取氧的IGZO层（45）作为高电阻区域（40a）残留。在该状态下，当对栅极电极（20）施加栅极电压时，接近与高电阻区域（40a）的边界的低电阻区域（40b）的电子分别向钛电极（65）侧移动。其结果，低电阻区域（40b）的长度变短，相反地，高电阻区域（40a）的长度变长相应的量。但是，电沟道长度（Le）变得比作为曝光装置的分辨率极限的源极/漏极间空间（Lch）短，电流驱动力变大。

公开(公告)号：CN103348483B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280007709.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤纯男 ,  北角英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0041

Abstract: 本发明提供能够减少在沟道层的沟道宽度方向的端部流动的截止电流的薄膜晶体管及其制造方法。源极电极（160a）和漏极电极（160b）的宽度比沟道层（140）的宽度窄。由此，在沟道层（140），以包围源极电极（160a）和漏极电极（160b）的方式分别形成低电阻区域（140b）。此外，不仅在被两个低电阻区域（140b）夹着的区域，而且在沟道宽度方向的端部也留有电阻值比低电阻区域（140b）高的高电阻区域（140a）。其结果是，在TFT（100），高电阻区域（140a）不仅扩展到被源极电极（160a）与漏极电极（160b）夹着的区域而且扩展到沟道宽度方向的端部。由此，在沟道宽度方向的端部流动的截止电流减少。

公开(公告)号：CN102484136A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037468.8

申请日：2010-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13312 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 提供能与周围温度无关地实现漏电流的降低的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。在具有串联连接的多个薄膜晶体管的开关部(半导体装置)(18)中，具备：多个栅极电极(g1～g4)；沟道区域(30)和低浓度杂质区域(29)，其包含在设于多个栅极电极(g1～g4)的下方的硅层(半导体层)(SL)中，并且分别设于多个晶体管；以及底栅电极(21)，其设于硅层(SL)的下方。对底栅电极(21)提供与各栅极电极(g1～g4)同相位的电压。