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公开(公告)号：CN100479278C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610091702.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 渡辺昌规
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的活性层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于所述光波导路径的端部的相对于所述叠层垂直的光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规则化的活性层的窗口部。所述窗口部中的相对层叠方向的垂直方向的光强度分布，比在所述光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于或等于48μm而小于或等于80μm。
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公开(公告)号：CN100399657C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410081941.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 渡辺昌规
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/16 , H01S5/2231 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光器，其包括具有层合结构的脊形条纹区域(150)和第一与第二条纹侧区域。半导体基板上的脊形条纹区域(150)具备下包覆层、活性层和上包覆层。第一条纹侧区域配置在脊形条纹区域(150)的两外侧。第二条纹侧区域配置在第一条纹侧区域的两外侧。从第二条纹侧区域的上包覆层下面到埋入层(115)下面的厚度小于第一条纹侧区域(151)的厚度。在共振器的中央部第一条纹侧区域(151)的宽度比光射出端面大。
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公开(公告)号：CN1702929A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100394653C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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公开(公告)号：CN1855650A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610091702.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 渡辺昌规
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的有源层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于所述光波导路经的端部的相对于所述叠层垂直的光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规则化的有源层的窗口部。所述窗口部中的相对所述层叠方向的垂直方向的光强度分布，比在所述光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于或等于48μm而小于或等于80μm。
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公开(公告)号：CN1641950A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410081941.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 渡辺昌规
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/16 , H01S5/2231 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光器，其包括具有层合结构的脊形条纹区域(150)和第一与第二条纹侧区域。半导体基板上的脊形条纹区域(150)具备下包覆层、活性层和上包覆层。第一条纹侧区域配置在脊形条纹区域(150)的两外侧。第二条纹侧区域配置在第一条纹侧区域的两外侧。从第二条纹侧区域的上包覆层下面到埋入层(115)下面的厚度小于第一条纹侧区域(151)的厚度。在共振器的中央部第一条纹侧区域(151)的宽度比光射出端面大。
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公开(公告)号：CN1301578C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN1601833A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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