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公开(公告)号：CN104364917B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮
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公开(公告)号：CN102956769B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN100585968C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510120290.4
申请日：2005-11-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0021
Abstract: 公开了一种半导体激光器件制造方法，依次包括：第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行，因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。
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公开(公告)号：CN104733582A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410805979.X
申请日：2014-12-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明为具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构。基于III族氮化物的发光器件包括n型半导体层；第一p型半导体层；有源区；以及电子阻挡区，电子阻挡区包括位于有源区与第一p型半导体层之间的AlGaInN，并且至少包括升级层和降级层。电子阻挡区的升级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧增加，并且电子阻挡区的降级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧减小。基于氮化物的发光器件可以是发光二极管或激光二极管。
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公开(公告)号：CN104364917A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033 , H01L33/20
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104272477A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023054.3
申请日：2013-10-16
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。
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公开(公告)号：CN104272477B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380023054.3
申请日：2013-10-16
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。
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公开(公告)号：CN102956769A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN101165980A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181143.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 竹冈忠士
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明涉及在半导体衬底上依次形成下侧包层、活性层、上侧包层的半导体激光器及应用这种半导体激光器的电子设备。本发明的一种实施方式的半导体激光器，在半导体衬底上依次形成有第一导电型的下侧包层、包含量子阱层的活性层及第二导电型的上侧包层。所述下侧包层的掺杂剂浓度为4.0×1017/cm3以下，谐振器长度为1500μm以上。
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公开(公告)号：CN1301578C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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