公开(公告)号：CN102891174A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210247003.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  矢仓基次

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括氮化物基半导体层的外延片，其能够使用于异质结场效应晶体管，该外延片在Si基板上依次包括：AlN或AlON的第一缓冲层、阶梯性地减小Al组成比的AlxGa1-xN的第二缓冲层、配置于该第二缓冲层上且AlaGa1-aN层/AlbGa1-bN层重复的多层所构成的第三缓冲层、GaN沟道层及电子供给层，该第二缓冲层最上部的Al组成比x在0≤x≤0.3的范围内。