公开(公告)号：CN104254908A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380021901.2

申请日：2013-04-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松林雅和 ,  寺口信明 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: III族氮化物半导体叠层衬底(100)具备：沟道层(5)，该沟道层(5)为III族氮化物半导体：和势垒层(6)，该势垒层(6)形成在沟道层(5)上，与沟道层(5)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×1010(原子数/cm2)以下。

公开(公告)号：CN106796870A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046071.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  冈崎舞 ,  藤重阳介 ,  田尻雅之 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体，其包括Si衬底(100)、设置在该Si衬底(100)上的氮化物半导体层叠体(200)，其中，Si衬底(100)的X射线衍射中的摇摆曲线的半峰宽不足160arcsec。

公开(公告)号：CN106688084A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048531.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  伊藤伸之 ,  小河淳 ,  藤重阳介 ,  冈崎舞 ,  远崎学

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02694 ,  C23C16/301 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。

公开(公告)号：CN104054166A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005634.X

申请日：2013-01-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 布袋田畅行 ,  寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  松林雅和 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/152 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。

公开(公告)号：CN102891174A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210247003.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  矢仓基次

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括氮化物基半导体层的外延片，其能够使用于异质结场效应晶体管，该外延片在Si基板上依次包括：AlN或AlON的第一缓冲层、阶梯性地减小Al组成比的AlxGa1-xN的第二缓冲层、配置于该第二缓冲层上且AlaGa1-aN层/AlbGa1-bN层重复的多层所构成的第三缓冲层、GaN沟道层及电子供给层，该第二缓冲层最上部的Al组成比x在0≤x≤0.3的范围内。

公开(公告)号：CN106415802B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201580027209.X

申请日：2015-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  远崎学 ,  小河淳

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。

公开(公告)号：CN109154759A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029754.1

申请日：2017-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  佐藤英次

IPC: G02F1/167 ,  G02F1/19

Abstract: 利用较以往多种的动作模式对光的透过率进行调节。在调光装置(100)中，在施加了具有第一振幅以上的振幅的第一频率的交流电压的情况下，第一波长范围内的光(L1)的透过率比将薄片(10A)取向为遮蔽该光(L1)的方向的情况高，在施加了具有第二振幅以上的振幅的第二频率的交流电压的情况下，第二波长范围内的光(L2)的透过率比将薄片(10B)取向为遮蔽该光(L2)的方向的情况高。其中，第二振幅为第一振幅以上。

公开(公告)号：CN105637620B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1‑yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1‑zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1‑z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。

公开(公告)号：CN108604034A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680081088.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤英次 ,  伊藤伸之

IPC: G02F1/15 ,  G02F1/17

Abstract: 实现一种重复特性优异的电致变色装置。电致变色装置(100)包含配置于第一基板(1)之上的第一透明电极(2)、配置于第二基板(6)之上的第二透明电极(5)、以及配置于上述第一透明电极(2)之上的纳米结晶层(3)，在上述纳米结晶层(3)与上述第二透明电极(5)之间包含电解质(8)，上述第一透明电极(2)、上述第二透明电极(5)、以及上述纳米结晶层(3)用于调制透射光谱而施加了电压时，不发生氧化还原反应，并且不包含通过施加上述电压而产生因氧化还原反应引起的透射光谱的调制的电极。

公开(公告)号：CN105637620A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1-xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1-yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1-zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1-z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。