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公开(公告)号：CN110730984A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880037299.4
申请日：2018-06-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。
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公开(公告)号：CN106415801A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580028517.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 织田明博
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置(100)包括设置在基板上的薄膜晶体管(5)，该薄膜晶体管(5)具有栅极电极栅极绝缘层以与栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层(18)、源极电极(14)和漏极电极(16)，氧化物半导体层(18)包括：在从基板法线方向看时与栅极电极重叠的栅极相对区域(18g)；和与栅极相对区域相邻设置且在从基板法线方向看时与栅极电极、源极电极和漏极电极中的任一个都不重叠的偏移区域(18os、18od)，栅极相对区域的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。(12)、与栅极电极接触的栅极绝缘层(20)、隔着
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公开(公告)号：CN104040724B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280066838.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 织田明博
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/02565 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(1)、栅极电极(11)、栅极绝缘膜(12)、氧化物半导体层(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和保护膜(16)。氧化物半导体层的上表面和侧面被源极电极、漏极电极和保护膜覆盖，从基板面法线方向看时，从第一接触区域(13s)的外缘至源极电极的外缘的最短距离和从第二接触区域(13d)的外缘至漏极电极的外缘的最短距离分别为1.5μm以上4.5μm以下。
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公开(公告)号：CN110383493B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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公开(公告)号：CN110383493A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473792A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036495.3
申请日：2010-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L27/14 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L27/14678 , H01L27/14692 , H01L31/02164 , H01L31/02363 , H01L31/105 , Y02E10/50
Abstract: 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄，也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。在基板(101)的一侧，设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130)，该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p)，并在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸。第一半导体层具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状。入射到遮光层的光发生漫反射后入射到第一半导体层。第一半导体层，因为具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状，所以发生漫反射的反射光在第一半导体层内前进的距离变长。其结果是，被第一半导体层吸收的光增加，光检测灵敏度上升。
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公开(公告)号：CN110730984B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201880037299.4
申请日：2018-06-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。
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公开(公告)号：CN109473071B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811038918.X
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路，各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG)，与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1))，与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。
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公开(公告)号：CN106415801B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580028517.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 织田明博
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置(100)包括设置在基板上的薄膜晶体管(5)，该薄膜晶体管(5)具有栅极电极(12)、与栅极电极接触的栅极绝缘层(20)、隔着栅极绝缘层以与栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层(18)、源极电极(14)和漏极电极(16)，氧化物半导体层(18)包括：在从基板法线方向看时与栅极电极重叠的栅极相对区域(18g)；和与栅极相对区域相邻设置且在从基板法线方向看时与栅极电极、源极电极和漏极电极中的任一个都不重叠的偏移区域(18os、18od)，栅极相对区域的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。
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公开(公告)号：CN109473071A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811038918.X
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路，各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG)，与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1))，与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。
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