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公开(公告)号：CN100391068C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767286A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN101188265B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710192815.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 角田笃勇
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包括：导电基板；形成在导电基板上的结合金属层；形成在结合金属层上的垒层；形成在垒层上的反射层；形成在反射层上的欧姆电极层；形成在欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层上的发光层；和形成在发光层上的第一导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的外围被除去。
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公开(公告)号：CN101123291B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710141166.5
申请日：2007-08-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，该氮化物半导体发光装置依次包括导电衬底、第一金属层、第二导电类型的半导体层、发射层、以及第一导电类型的半导体层。该氮化物半导体发光装置附加地具有至少覆盖第二导电类型半导体层、发射层、以及第一导电类型半导体层的侧面的绝缘层。本发明提供了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该氮化物半导体发光装置可进一步包括第二金属层。因此，本发明提供了一种可靠的氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中与常规示例相比，PN结部分处的短路以及电流泄漏减小。
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公开(公告)号：CN101188265A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192815.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 角田笃勇
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包括：导电基板；形成在导电基板上的结合金属层；形成在结合金属层上的垒层；形成在垒层上的反射层；形成在反射层上的欧姆电极层；形成在欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层上的发光层；和形成在发光层上的第一导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的外围被除去。
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公开(公告)号：CN101123291A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141166.5
申请日：2007-08-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，该氮化物半导体发光装置依次包括导电衬底、第一金属层、第二导电类型的半导体层、发射层、以及第一导电类型的半导体层。该氮化物半导体发光装置附加地具有至少覆盖第二导电类型半导体层、发射层、以及第一导电类型半导体层的侧面的绝缘层。本发明提供了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该氮化物半导体发光装置可进一步包括第二金属层。因此，本发明提供了一种可靠的氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中与常规示例相比，PN结部分处的短路以及电流泄漏减小。
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