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公开(公告)号：CN101431141B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200810184216.2
申请日：2008-09-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件依次序包括第一n型氮化物半导体层，发光层，p型氮化物半导体层，以及第二n型氮化物半导体层，并且还包括在第二n型氮化物半导体层上的由透明导电膜形成的电极。该氮化物半导体发光器件具有改善了的光取出效率。由透明导电膜形成的电极优选地形成在第二n型氮化物半导体层的一部分表面上。
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公开(公告)号：CN100472830C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610121876.7
申请日：2006-08-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件的制造方法，包含：形成包含外延生长在基底基板上并包含有源层的多层半导体膜的晶片的步骤(P1、P2)、通过光激发晶片中的有源层并至少在两个温度点测量有源层的发射强度而对有源层进行合格/不合格判断的步骤(P3、P6、P8)、以及使用包含在合格/不合格判断中被判断为质量良好的有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤(P4、P5、P7、P9-P13)。
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公开(公告)号：CN101030698A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084339.4
申请日：2007-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0422 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：将生长温度设定于范围500至1000℃通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。
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公开(公告)号：CN102881789B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210374452.7
申请日：2012-07-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859723A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019641.6
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101771124A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910265655.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件。在氮化物半导体发光元件中，透光衬底(1)具有上表面，至少包括发光层(5)的氮化物半导体层形成在该上表面上。凹部区域和凸部区域形成在透光衬底(1)的上表面上。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域之一通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域中的另一个形成为彼此不连成直线。具有这种构造的氮化物半导体发光元件具有优良的光提取效率并可以以适中的成本制造。
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公开(公告)号：CN101030618A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084338.X
申请日：2007-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0217 , H01S5/0422 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种具有高的光发射输出同时可以减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。
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公开(公告)号：CN1964090A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610136638.3
申请日：2006-10-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述方法包括的步骤为：在衬底(1)上形成释放层(2)，该释放层有利于衬底分离；以及，在释放层上形成至少一个氮化物基半导体层(3－8)。可在衬底上形成至少一个导电膜作为该释放层或替代该释放层。
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公开(公告)号：CN102810610B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210174859.5
申请日：2012-05-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
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