公开(公告)号：CN1497677A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101385.2

申请日：2003-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎笃 ,  波多野晃继 ,  酒井道

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/513 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。

公开(公告)号：CN1537317A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02813007.3

申请日：2002-06-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井道 ,  冈本昌也

IPC: H01J17/12 ,  H01J17/49 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/153

CPC classification number: G09G3/3662 ,  G02F1/13334 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/08 ,  H01J17/34 ,  H01J17/44 ,  H01J17/49 ,  H01J2217/49 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种开关元件，其具有为了在其相互之间流过放电电流而设置间隔的第一电极和第二电极，以及可改变与第一电极和第二电极中的至少一个的电势差的，且以通过改变该电势差来控制在第一电极和第二电极之间流过的放电电流的大小的方式构成的第三电极。

公开(公告)号：CN100407359C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN02813007.3

申请日：2002-06-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井道 ,  冈本昌也

IPC: H01J17/12 ,  H01J17/49 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/153

CPC classification number: G09G3/3662 ,  G02F1/13334 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/08 ,  H01J17/34 ,  H01J17/44 ,  H01J17/49 ,  H01J2217/49 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种显示装置用开关元件，其具有为了在其相互之间流过放电电流而设置间隔的第一电极和第二电极，以及可改变与第一电极和第二电极中的至少一个的电势差的，且以通过改变该电势差来控制在第一电极和第二电极之间流过的放电电流的大小的方式构成的第三电极。

公开(公告)号：CN1293608C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200310101385.2

申请日：2003-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎笃 ,  波多野晃继 ,  酒井道

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/513 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。