公开(公告)号：CN1497677A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101385.2

申请日：2003-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎笃 ,  波多野晃继 ,  酒井道

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/513 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。

公开(公告)号：CN1293608C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200310101385.2

申请日：2003-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎笃 ,  波多野晃继 ,  酒井道

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/513 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。