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公开(公告)号：CN1585093A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410058831.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 波多野晃继
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405 , C23C16/5096
Abstract: 一种等离子处理装置及其等离子清洗方法，在消除对被处理衬底的粒子冲击提高成膜质量的同时，由简单的构成有效地除去处理室内的粒子降低装置成本。等离子处理装置，是包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内部面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个第1电极及第2电极的复合电极，向处理室内部提供原料气体的原料气体供给部分。还包括通过增大或减小形成在处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器，通过等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的等离子清洗方法。
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公开(公告)号：CN101605710A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004403.6
申请日：2008-01-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 波多野晃继
CPC classification number: B65H29/58 , B65H21/00 , Y10T83/0467 , Y10T83/2087 , Y10T156/1052 , Y10T156/1059 , Y10T156/1062 , Y10T156/1067 , Y10T156/1075 , Y10T156/1085 , Y10T156/1087
Abstract: 本发明提供一种基材处理装置和使用该基材处理装置的基材处理方法。该基材处理装置包括：第1基材搬送部，其从第1生产线接收并搬送处理对象的可挠性基材；基材分割部，其将由第1基材搬送部搬送的上述可挠性基材分割；路径切换部，其从由基材分割部分割而产生的基材始端接收可挠性基材，将其搬送路径切换到第2生产线；和第2基材搬送部，其设置在第2生产线的前段，用于保持处理对象的可挠性基材并向第2生产线搬送。
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公开(公告)号：CN101588977A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780050402.0
申请日：2007-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及基材处理装置。该基材处理装置包括：从第一生产线接收基材并向第二生产线搬送的基材搬送部；分割基材的第一基材分割部，从分割而形成的基材的始端回收基材的基材回收部；向分割而形成的基材的终端提供基材的基材供给部；将基材的终端和由基材供给部提供的基材的始端连接的第一基材连接部；设置在基材供给部和第一基材连接部之间的第二基材分割部；设置在第一生产线和基材回收部之间的第三基材分割部；将由第三基材分割部分割而产生的基材的始端和由第二基材分割部分割而产生的基材的终端连接的第二基材连接部。
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公开(公告)号：CN101588977B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780050402.0
申请日：2007-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及基材处理装置。该基材处理装置包括：从第一生产线接收基材并向第二生产线搬送的基材搬送部；分割基材的第一基材分割部，从分割而形成的基材的始端回收基材的基材回收部；向分割而形成的基材的终端提供基材的基材供给部；将基材的终端和由基材供给部提供的基材的始端连接的第一基材连接部；设置在基材供给部和第一基材连接部之间的第二基材分割部；设置在第一生产线和基材回收部之间的第三基材分割部；将由第三基材分割部分割而产生的基材的始端和由第二基材分割部分割而产生的基材的终端连接的第二基材连接部。
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公开(公告)号：CN1293608C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200310101385.2
申请日：2003-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/513 , B01J19/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101543147B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780043779.3
申请日：2007-07-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05K3/323 , C09J9/02 , G02F1/13452 , H01L24/31 , H01L24/83 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29344 , H01L2224/29355 , H01L2224/29399 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H05K1/0366 , H05K3/361 , H05K2201/09036 , H05K2201/10674 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供配线基板和显示装置，该配线基板是在安装基板(20)上安装有具有用于与配线图案(12a)连接的凸点电极(15b)的IC芯片(15)的配线基板(30a)，该安装基板(20)包括：具有在玻璃纤维中含浸有树脂的增强件(5)和设置在增强件(5)的表面的有机层(6a)的树脂基板(10)；和在树脂基板(10)的表面隔着覆盖层(11a)设置的配线图案(12a)，该配线基板(30a)的特征在于：树脂基板(10)具有露出增强件(5)的纤维露出部(5e)，IC芯片(15)在连接电极(15b)与配线图案(12a)连接的状态下，通过与纤维露出部(5e)连接的ACF(17)被固定在安装基板(20)上。
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公开(公告)号：CN101605710B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200880004403.6
申请日：2008-01-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 波多野晃继
CPC classification number: B65H29/58 , B65H21/00 , Y10T83/0467 , Y10T83/2087 , Y10T156/1052 , Y10T156/1059 , Y10T156/1062 , Y10T156/1067 , Y10T156/1075 , Y10T156/1085 , Y10T156/1087
Abstract: 本发明提供一种基材处理装置和使用该基材处理装置的基材处理方法。该基材处理装置包括：第1基材搬送部，其从第1生产线接收并搬送处理对象的可挠性基材；基材分割部，其将由第1基材搬送部搬送的上述可挠性基材分割；路径切换部，其从由基材分割部分割而产生的基材始端接收可挠性基材，将其搬送路径切换到第2生产线；和第2基材搬送部，其设置在第2生产线的前段，用于保持处理对象的可挠性基材并向第2生产线搬送。
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公开(公告)号：CN101543147A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780043779.3
申请日：2007-07-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05K3/323 , C09J9/02 , G02F1/13452 , H01L24/31 , H01L24/83 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29344 , H01L2224/29355 , H01L2224/29399 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H05K1/0366 , H05K3/361 , H05K2201/09036 , H05K2201/10674 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供配线基板和显示装置，该配线基板是在安装基板(20)上安装有具有用于与配线图案(12a)连接的凸点电极(15b)的IC芯片(15)的配线基板(30a)，该安装基板(20)包括：具有在玻璃纤维中含浸有树脂的增强件(5)和设置在增强件(5)的表面的有机层(6a)的树脂基板(10)；和在树脂基板(10)的表面隔着覆盖层(11a)设置的配线图案(12a)，该配线基板(30a)的特征在于：树脂基板(10)具有露出增强件(5)的纤维露出部(5e)，IC芯片(15)在连接电极(15b)与配线图案(12a)连接的状态下，通过与纤维露出部(5e)连接的ACF(17)被固定在安装基板(20)上。
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公开(公告)号：CN100339945C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410058831.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 波多野晃继
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405 , C23C16/5096
Abstract: 一种等离子处理装置及其等离子清洗方法，在消除对被处理衬底的粒子冲击提高成膜质量的同时，由简单的构成有效地除去处理室内的粒子降低装置成本。等离子处理装置，是包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内部面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的多个第1电极及第2电极的复合电极，向处理室内部提供原料气体的原料气体供给部分。还包括通过增大或减小形成在处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器，通过等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的等离子清洗方法。
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公开(公告)号：CN1497677A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101385.2
申请日：2003-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/513 , B01J19/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。
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