公开(公告)号：CN108140568B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201680059649.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 威世通用半导体有限责任公司

Inventor： 圣菲利波·卡尔梅洛 ,  路易吉·梅林 ,  伊莎贝拉·帕拉 ,  乔瓦尼·里基耶里

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/683

Abstract: 局部削薄处理被用在半导体基底(诸如，晶片)的背面以便提高布置在晶片的前侧上或前侧内的电子装置的热性能。

公开(公告)号：CN108140568A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059649.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 威世通用半导体有限责任公司

Inventor： 圣菲利波·卡尔梅洛 ,  路易吉·梅林 ,  伊莎贝拉·帕拉 ,  乔瓦尼·里基耶里

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091

Abstract: 局部削薄处理被用在半导体基底(诸如，晶片)的背面以便提高布置在晶片的前侧上或前侧内的电子装置的热性能。