-
公开(公告)号：CN101080510B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680001413.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
Abstract: 本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的后面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶前面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的后面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的后面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。
-
公开(公告)号：CN101300372B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200680041174.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1846013A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025541.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/24 , C23C14/541
Abstract: 本发明的真空成膜方法以及装置，在设在真空室(1)内且流路(7f)、(7g)、(7i)内流入规定的载热溶液的基体材料支持构件(6a)上安装基体材料，使所述真空室内保持实质上的真空状态，在所述真空室的内部，从2个或2个以上的蒸发源使蒸发材料蒸发，以规定的顺序使该蒸发的所述蒸发材料扩散到所述真空室的内部，使该扩散的所述蒸发材料蒸镀在所述基体材料的蒸镀面上，使由所述蒸发材料构成的多层膜在所述基体材料的蒸镀面上形成，在这样的成膜方法中，将防冻溶液用作流入所述基体材料支持构件具备的流路内的所述规定的载热溶液。
-
公开(公告)号：CN1846013B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200480025541.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/24 , C23C14/541
Abstract: 本发明的真空成膜方法以及装置，在设在真空室(1)内且流路(7f)、(7g)、(7i)内流入规定的载热溶液的基体材料支持构件(6a)上安装基体材料，使所述真空室内保持实质上的真空状态，在所述真空室的内部，从2个或2个以上的蒸发源使蒸发材料蒸发，以规定的顺序使该蒸发的所述蒸发材料扩散到所述真空室的内部，使该扩散的所述蒸发材料蒸镀在所述基体材料的蒸镀面上，使由所述蒸发材料构成的多层膜在所述基体材料的蒸镀面上形成，在这样的成膜方法中，将防冻溶液用作流入所述基体材料支持构件具备的流路内的所述规定的载热溶液。
-
公开(公告)号：CN101080510A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001413.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
Abstract: 本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的里面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶表面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的里面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的里面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。
-
公开(公告)号：CN101300372A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680041174.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。
-
公开(公告)号：CN1384219A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02106731.7
申请日：2002-03-04
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/30
Abstract: 一种多层膜的成膜方法、真空成膜装置及真空成膜装置的控制装置,在多层膜成膜时,用较短的时间完成所有层的成膜。用电子枪加热膜的原料而进行的两层以上的多层膜的成膜,通过向配置于真空腔内的基板蒸发膜的原料的主加热工序R2、R4及预热膜的原料的预热工序R1、R3来进行。在执行由多台电子枪中的某一台形成一层膜的主加热工序R2期间,利用另外的电子枪执行用于形成另一层膜的预热工序。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.053 seconds)
