一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜

    公开(公告)号:CN109136846A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810753153.1

    申请日:2018-07-10

    Inventor: 龚国华 何江

    CPC classification number: C23C14/0005 C23C14/02 C23C14/14 C23C14/30 C23C14/34

    Abstract: 本发明涉及一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜,该方法包括:S1、旋涂转移涂层:选择表面满足光学级平整度的衬底,对衬底进行清洗烘干并在衬底表面上旋涂转移涂层;S2、固化:蒸发并冷却旋涂转移涂层后的衬底,以固化转移涂层;S3、沉积:选用金属材料,在固化的转移涂层表面沉积以生成预设厚度的金属薄膜;S4、剥离:在常温下将带有金属薄膜的衬底置于可溶解转移涂层的有机溶剂中,以分离金属薄膜;S5、转移:保持金属薄膜为展开状态并转移金属薄膜至无氧条件下烘干,以得到最终的独立金属薄膜。实施本发明能够获取满足要求的独立金属薄膜制备,方法简单易行,且成本低。

    一种表面梯度薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108179384A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201711416464.0

    申请日:2017-12-25

    CPC classification number: C23C14/30 C23C14/044 C23C14/28 C23C14/58

    Abstract: 一种表面梯度薄膜的制备方法,包括表面梯度薄膜制备装置,所述制备方法还包括以下步骤:首先将真空腔室抽真空,源内的靶材通过坩埚加热或电子束加热气化,成为离散态的微观粒子,向四周扩散;在经过遮板位置时,部分微观粒子会被遮挡,通过调节遮板的大小、方向来控制经过的微观粒子的含量和扩散的主次方向;遮板可以保持一定姿态,使各个方向源的辐射强度不同,在某个方向形成线性梯度,也可以在制备过程中保持转动,使各个方向源的辐射强度均匀。本发明提供了一种通过但不仅限于气象沉积或溅射等制备工艺,使用二元到四元甚至更多元素种类的源材,在基质上制备出横向梯度线性变化,且厚度均匀的表面梯度薄膜的制备方法。

    一种电子束物理气相沉积测温方法

    公开(公告)号:CN108168722A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711466319.3

    申请日:2017-12-28

    Inventor: 盛刚 火克莉 向昕

    CPC classification number: G01K7/02 C23C14/30 C23C14/541 G01K1/02 G01K1/022

    Abstract: 一种电子束物理气相沉积测温方法,涉及测量计量技术领域,在装料盘上的任意两个工位之间,安装一个壁厚和叶片壁厚相同的测温管(1),将热电偶的温度感应端插入测温管(1)的右端空腔(3)中,在喷涂过程,测温管(1)与叶片围绕同一轴心进行转动,但是自身不转动,测得的温度和插入叶片内腔的热电偶测得的温度近似。每炉完成涂层生产后,将测温管(1)表面的涂层去除干净后重复利用,因测温管(1)较长,便于操作,且直径较小,去除涂层只需较短时间。本发明易于操作,方便快捷,无需直接测量叶片的温度,增加了喷涂时叶片的装夹数量,提高了喷涂加工的效率。

    电子枪装置以及真空蒸镀装置

    公开(公告)号:CN105555994B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201480051603.2

    申请日:2014-12-05

    CPC classification number: C23C14/30 H01J37/06 H01J37/3053 H01J2237/3132

    Abstract: 本发明提供一种能够产生多个电子束且能够简化设备的电子枪装置以及真空蒸镀装置。电子枪装置具有第1丝极、第2丝极、电源单元、切换单元以及控制部。第1和第2丝极能够产生第1和第2电子束。电源单元具有:加热电流供给部,其供给用于使第1丝极或者第2丝极产生电子束的加热电流;偏压供给部,其将偏压施加给加热电流。切换单元构成为,能够选择性地切换第1状态和第2状态,其中,第1状态为向第1丝极供给驱动电流的状态;第2状态为向第2丝极供给驱动电流的状态。控制部控制第1状态和第2状态的切换,其中,驱动电流是对加热电流施加偏压后形成的电流。

    真空蒸镀装置和真空涂覆方法

    公开(公告)号:CN108070825A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711084964.9

    申请日:2017-11-07

    Inventor: F.马雄奇克

    CPC classification number: C23C14/246 C23C14/08 C23C14/243 C23C14/30

    Abstract: 本发明涉及真空蒸镀装置(10),具有-真空室(2);-用于接收蒸镀材料(11)的坩埚(31);-具有用于蒸镀材料(11)的储存容器(41)的补充装置(40);以及-定位装置(50),该定位装置被形成为用于使该坩埚(31)在蒸镀位置(33)与补充位置(34)之间往复运动,该补充位置用于从该储存容器中补充蒸镀材料;其中该蒸镀位置(33)和该补充位置(34)位于该真空室内部。

Patent Agency Ranking