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公开(公告)号：CN105555888B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480051491.0
申请日：2014-09-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/00 , B05D1/38 , B05D3/10 , B05D7/24 , C09D5/00 , C09D145/00 , C09D165/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成为了使自组装膜容易排列成期望的垂直图案而需要的下层膜的组合物。所述自组装膜的下层膜形成用组合物包含聚合物，所述聚合物具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构的单元结构。聚合物为具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构、与含芳香环化合物的芳香环结构或源自含乙烯基化合物的乙烯基的聚合链的单元结构的聚合物。聚合物具有下述式(1)：(式(1)中，X为单键、以源自含乙烯基化合物的乙烯基结构为聚合链的2价基团、或以源自含芳香环化合物的含芳香环结构为聚合链的2价基团，Y为以源自脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构为聚合链的2价基团。)所示的单元结构。脂肪族多环化合物为2环至6环的二烯化合物。脂肪族多环化合物为二环戊二烯或降冰片二烯。
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公开(公告)号：CN104854205B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201380066230.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/00 , B05D1/38 , B05D3/10 , B05D7/24 , C09D5/00 , C09D125/00 , C09D139/04 , C09D145/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种不会与上层的自组装膜发生互混(层混合)而在自组装膜上形成垂直图案的自组装膜的下层膜。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在聚合物的全部结构单元中具有0.2摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物结构单元的聚合物。所述聚合物为聚合物在全部结构单元中具有20摩尔％以上的芳香族乙烯基化合物的结构单元，且芳香族乙烯基化合物在全部结构单元中具有1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的结构单元的聚合物。所述芳香族乙烯基化合物包含可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。另外，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。
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公开(公告)号：CN104870551B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201380066214.2
申请日：2013-12-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08L25/04 , C08F12/08 , C08K5/3447 , C09D125/08 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: C09D125/14 , C08F212/08 , C09D125/08 , C09D153/00 , G02B1/111 , G03F7/0002 , G03F7/09 , Y10T428/24802 , C08F2220/325 , C08F2220/281 , C08F212/14 , C08F220/06 , C08F212/12 , C08F220/14
Abstract: 本发明的课题是提供一种自组装膜的下层中所使用的下层膜形成组合物。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，含有仅由源自可被取代的苯乙烯的结构单元和源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元构成的聚合物，且该聚合物以如下比例构成：在该聚合物的全部结构单元中，源自苯乙烯的结构单元为60～95摩尔％，源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元为5至40摩尔％。可形成交联的基团为羟基、环氧基、被保护了的羟基、或被保护了的羧基。含有可形成交联的基团的化合物为甲基丙烯酸羟基乙酯、丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基丙酯、丙烯酸羟基丙酯、羟基苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯。
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公开(公告)号：CN106061627A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011270.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明涉及一种表面粗化方法，包括第1工序和第2工序，所述第1工序是在基板上或在基板上的层上涂布含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)的组合物(a3)并进行干燥和固化，从而形成有机树脂层(A)的工序，所述第2工序是从该基板的上方进行蚀刻，从而将该基板的表面粗化的工序。
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公开(公告)号：CN103229104B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180057083.2
申请日：2011-12-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105324719A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035408.0
申请日：2014-06-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0268 , C09D161/00 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/02271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081
Abstract: 本发明的课题是可以提供具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速度的选择比、比抗蚀剂小的干蚀刻速度的选择比、比半导体基板小的干蚀刻速度的选择比的优异的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)的单元结构的聚合物，(式(1)中，R3为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基、羰基、碳原子数6～40的芳基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R4为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R3和R4可以与它们所结合的碳原子一起形成环。n表示0～2的整数。)。式(1)的R3为苯环、萘环、蒽环或芘环，R4为氢原子。
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公开(公告)号：CN104541205A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
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公开(公告)号：CN106233206A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN103827159B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280047123.X
申请日：2012-09-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G16/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G12/08 , C08G73/026 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08L61/22 , C08L79/02 , C08L79/04 , C09D161/22 , C09D179/02 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。(式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环)一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN105143979A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480021117.6
申请日：2014-04-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/027
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。
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