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公开(公告)号：CN107111234B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580053983.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其能够形成表示抗蚀剂图案的线宽的不均匀度的LWR比以往小的抗蚀剂图案。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物、以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。
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公开(公告)号：CN105393172B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480040916.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价的连接基团，X表示不具有羟基的、脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子是氧原子的杂环基。)
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公开(公告)号：CN106233207A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021424.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或-C(＝O)O-X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R3表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R4表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R5表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。
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公开(公告)号：CN104136997B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201380011378.5
申请日：2013-02-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G63/00 , C08G65/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/092 , C08G63/6856 , C08G63/91 , C08G65/40 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成提高了与抗蚀剂的密合性的抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂。式(1)中，R1表示氢原子或甲基，Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团，v1和v2各自独立地表示0或1。式(2)(3)中，R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的直链状或支链状的烃基，R4表示氢原子或甲基，R7表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数1～4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基，w1表示0～3的整数，w2表示0～2的整数，x表示0～3的整数。
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公开(公告)号：CN106715619B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580049091.0
申请日：2015-09-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/06 , C09D201/08 , C08F212/12 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D183/04 , G03F7/004 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106575082A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040881.2
申请日：2015-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。
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公开(公告)号：CN105393172A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040916.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价的连接基团，X表示不具有羟基的、脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子是氧原子的杂环基)。
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公开(公告)号：CN104303107A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380023663.9
申请日：2013-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G63/00 , C08G63/6856 , C08G73/101 , C09D167/00 , C09D167/02 , C09D175/12 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜能够提高与抗蚀剂图案之间的附着性。解决手段是一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有聚合物和有机溶剂，所述聚合物在末端具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所表示的结构。式中，R1表示氢原子或甲基，R2和R3分别独立地表示氢原子或烃基等有机基团，所述烃基可以具有至少1个羟基或甲基硫基作为取代基，R4表示氢原子或羟基，Q1表示亚芳基，v表示0或1，y表示1～4的整数，w表示1～4的整数，x1表示0或1，x2表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN103221888A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055104.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/62 , C08G65/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。
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公开(公告)号：CN106575082B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580040881.2
申请日：2015-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。
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