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公开(公告)号：CN108463454A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201780006313.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C219/34 , C07C205/56 , C07C213/02 , C07C231/12 , C07C237/26 , C08G73/10 , H05K1/03
Abstract: 本发明的课题是提供可获得不仅柔软性和透明性优异，而且也具有延迟低这样的特征的膜的新的二胺。解决手段是以由式(1-1)表示作为特征的二胺、由该二胺获得的聚酰胺酸和聚酰亚胺、以及包含该聚酰亚胺的膜形成用组合物及由其形成的膜和柔性器件用基板。(式中，X表示氧原子或-NH-基，Y表示卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的卤代烷基或碳原子数1～5的烷基，n表示0～4的整数。)
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公开(公告)号：CN108137924A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056917.0
申请日：2016-09-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供可获得不仅耐热性和耐溶剂性优异，而且也具有延迟低这样的特征的树脂薄膜、特别是适合作为柔性器件的基板的树脂薄膜的树脂薄膜形成用组合物。作为解决手段是包含聚酰亚胺、由利用氮吸附法测得的比表面积值算出的平均粒径为100nm以下的二氧化硅粒子、交联剂和有机溶剂的树脂薄膜形成用组合物以及由该树脂薄膜形成用组合物形成的树脂薄膜。
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公开(公告)号：CN104246614A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021388.7
申请日：2013-02-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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公开(公告)号：CN103460138A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280014835.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306
Abstract: 本发明的课题是提供在形成微细图案时不发生图案倒塌的显影液、以及使用该显影液的图案形成方法。作为本发明的解决问题的方法是，一种在光刻工艺中使用的显影液，包含干蚀刻掩模形成用聚合物和有机溶剂。聚合物是与抗蚀剂不同的树脂。是在抗蚀剂的曝光后使用的显影液。显影液是作为乙酸丁酯、或乙酸丁酯与醇的混合溶剂、或2-戊酮、或2-戊酮与醇的混合溶剂的显影液。一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：工序(A)，在半导体基板上包覆抗蚀剂而形成抗蚀剂层，并进行曝光；工序(B)，使该抗蚀剂层的表面与显影液接触，在抗蚀剂图案之间形成聚合物层；工序(C)，通过干蚀刻除去抗蚀剂层，形成由该聚合物产生的反转图案。
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公开(公告)号：CN106164178B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580017618.1
申请日：2015-03-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: B29C41/12 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1078 , C09D179/08 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08K5/1535
Abstract: 本发明的目的在于提供，不仅耐热性优异，而且还具有延迟低这样的特征的树脂薄膜，特别是适合作为柔性器件的基板的树脂薄膜的制造方法和该树脂薄膜以及形成那样的树脂薄膜的树脂薄膜形成用组合物。本发明的解决方法是涉及一种树脂薄膜的制造方法，其特征在于，使用含有聚酰亚胺、二氧化硅粒子和有机溶剂的树脂薄膜形成用组合物，所述聚酰亚胺是将聚酰胺酸进行酰亚胺化而得到的，所述聚酰胺酸是使包含脂环式四羧酸二酐的四羧酸二酐成分与包含含氟芳香族二胺的二胺成分反应而得到的，所述二氧化硅粒子的平均粒径为100nm以下，所述平均粒径是由利用氮吸附法测得的比表面积值算出的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103649835B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201280035179.3
申请日：2012-07-31
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。
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公开(公告)号：CN106164178A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580017618.1
申请日：2015-03-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: B29C41/12 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1078 , C09D179/08 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08K5/1535
Abstract: 本发明的目的在于提供，不仅耐热性优异，而且还具有延迟低这样的特征的树脂薄膜，特别是适合作为柔性器件的基板的树脂薄膜的制造方法和该树脂薄膜以及形成那样的树脂薄膜的树脂薄膜形成用组合物。本发明的解决方法是涉及一种树脂薄膜的制造方法，其特征在于，使用含有聚酰亚胺、二氧化硅粒子和有机溶剂的树脂薄膜形成用组合物，所述聚酰亚胺是将聚酰胺酸进行酰亚胺化而得到的，所述聚酰胺酸是使包含脂环式四羧酸二酐的四羧酸二酐成分与包含含氟芳香族二胺的二胺成分反应而得到的，所述二氧化硅粒子的平均粒径为100nm以下，所述平均粒径是由利用氮吸附法测得的比表面积值算出的。
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公开(公告)号：CN102084301A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126339.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122
Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。
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公开(公告)号：CN107614483B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201680029316.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C229/60 , C07C205/57 , C07C227/06 , C08G73/10 , H05K1/03 , C07B61/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的二胺，所述二胺能够提供不仅柔软性及透明性优异、而且还具有延迟低这样的特征的薄膜。解决手段是特征在于由式(1‑1)表示的二胺、由该二胺得到的聚酰胺酸及聚酰亚胺、以及包含该聚酰亚胺和二氧化硅粒子的薄膜形成用组合物及由其形成的薄膜。(式(1‑1)中，R1～R5各自独立地表示卤素原子、烷基或烷氧基，R6及R7各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基或烷氧基，a、b、d及e各自独立地表示0～4的整数，而且，c表示0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN103827752B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201280045182.3
申请日：2012-10-02
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)(R2)n2‑R1‑(CH2)n1‑si(X)3 (1)。
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