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公开(公告)号：CN111052405B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201880056887.2
申请日：2018-08-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 根据本发明，在生长衬底(101)上形成n型半导体层(102)、倍增层(103)、电场控制层(104)、光吸收层(105)和p型半导体层(106)，然后将p型半导体层(106)粘合到转移衬底(107)上。之后，去除生长衬底(101)，并且将n型半导体层(102)加工为具有比倍增层(103)的面积小的面积。
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公开(公告)号：CN114762131A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201980102322.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 提供一种具有高可靠性和低噪声性，同时能在高增益状态下动作的雪崩光电二极管的元件结构。雪崩光电二极管(100)是一种在第一与第二半导体接触层之间至少具有倍增层(105)和光吸收层(103)，第一半导体接触层(108)的面积至少小于倍增层(105)的面积的雪崩光电二极管，其设为在第一半导体接触层(108)与倍增层(105)之间，具有在动作电压下耗尽层化的电场弛豫层(107)。
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公开(公告)号：CN112236871B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980037600.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。
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公开(公告)号：CN111052405A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056887.2
申请日：2018-08-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 根据本发明，在生长衬底(101)上形成n型半导体层(102)、倍增层(103)、电场控制层(104)、光吸收层(105)和p型半导体层(106)，然后将p型半导体层(106)粘合到转移衬底(107)上。之后，去除生长衬底(101)，并且将n型半导体层(102)加工为具有比倍增层(103)的面积小的面积。
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公开(公告)号：CN113678266B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075219A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024438.5
申请日：2017-04-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
Abstract: 一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。
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公开(公告)号：CN107615495A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031131.3
申请日：2016-05-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/035272
Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。
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公开(公告)号：CN113678266A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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公开(公告)号：CN103081130B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180042213.5
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L31/022416 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。
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公开(公告)号：CN103081130A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042213.5
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L31/022416 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。
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