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公开(公告)号：CN101611476B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200880005185.8
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/321 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。
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公开(公告)号：CN102768954B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210225793.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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公开(公告)号：CN102690607B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210144194.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。
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公开(公告)号：CN102766409B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210226495.0
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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