公开(公告)号：CN103155112B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180048658.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 太田宗宏 ,  田中孝明 ,  泷泽寿夫 ,  吉川茂 ,  松本贵彬 ,  吉川贵浩 ,  筱田隆

IPC: H01L21/3105 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31055 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A具有从‑COOM基、‑Ph‑OM基、‑SO3M基以及‑PO3M2基所组成的组中选择的至少一种基团，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量%，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。

公开(公告)号：CN102768954B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210225793.8

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN106433480A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610843068.5

申请日：2011-12-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 太田宗宏 ,  田中孝明 ,  泷泽寿夫 ,  吉川茂 ,  松本贵彬 ,  吉川贵浩 ,  筱田隆

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31055 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A为丙酸，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量％，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量％，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。

公开(公告)号：CN101611476B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200880005185.8

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。

公开(公告)号：CN105070657A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510505083.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN102318042B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080007580.7

申请日：2010-02-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 小野裕 ,  筱田隆 ,  冈田悠平

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。

公开(公告)号：CN102449747B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080022988.1

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/32 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN101689494B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880023332.4

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。

公开(公告)号：CN105070657B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510505083.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN106471090A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036639.8

申请日：2015-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  太田宗宏 ,  山村奈央 ,  木野爱子

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  B24B37/11 ,  B24B57/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76229

Abstract: 一种用于对绝缘材料进行研磨的CMP用研磨液，其含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、4-吡喃酮系化合物、以及水。条件(A)：前述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm。条件(B)：由使前述氧化铈粒子为具有前述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的前述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15。