-
-
公开(公告)号：CN103155166B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201180048985.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
-
公开(公告)号：CN103155164B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180048863.0
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
-
公开(公告)号：CN103201849B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180054497.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
-
公开(公告)号：CN105047545A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510323373.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107093550A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610917021.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
-
公开(公告)号：CN103503079B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180070035.7
申请日：2011-04-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷‑锡的铜合金粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN105118890A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510484602.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/022425
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
-
公开(公告)号：CN105006429A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510226976.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , C03C15/00 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C3/097
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
-
公开(公告)号：CN103477395A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201180070033.8
申请日：2011-04-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/20 , H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , H01L21/76898 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷的铜合金粒子、含有锡的粒子、玻璃粒子、溶剂、以及树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.03 seconds)
