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公开(公告)号：CN107093550A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610917021.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103503121B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN103794478B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410050927.6
申请日：2012-07-17
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN105118890A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510484602.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/022425
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN105006429A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510226976.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , C03C15/00 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C3/097
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814665A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067286.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。
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公开(公告)号：CN103688367A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035335.6
申请日：2012-07-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于，在具有选择性发射极结构的太阳能电池中，抑制电极正下方的n型杂质浓度较高的n+型扩散层与电极间的位置偏差。本发明提供一种太阳能电池基板、一种太阳能电池基板的制造方法、一种太阳能电池元件及一种太阳能电池。所述太阳能电池基板为包括n型扩散层、及比上述n型扩散层的n型杂质浓度高的n+型扩散层，且在上述n+型扩散层的表面具有凹部的半导体基板。
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公开(公告)号：CN103688341A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035500.8
申请日：2012-07-17
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN103503121A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L23/293 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K5/05 , H01L23/3171 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN103348449A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280008317.9
申请日：2012-02-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：分散介质以及玻璃粉末，所述玻璃粉末包含选自ZrO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MgO、CaO、SrO及BaO中的至少一种及P2O5。
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