公开(公告)号：CN105047545B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105551947A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510917152.2

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103650111A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031501.5

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103299400A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005186.9

申请日：2012-01-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有氮化硼、分散介质和无机粘结剂的p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池。

公开(公告)号：CN103155166A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048985.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104488069B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380036945.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN106537559A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038703.6

申请日：2015-07-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩室光则 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。

公开(公告)号：CN105814665A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067286.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。

公开(公告)号：CN103688367A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035335.6

申请日：2012-07-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于，在具有选择性发射极结构的太阳能电池中，抑制电极正下方的n型杂质浓度较高的n+型扩散层与电极间的位置偏差。本发明提供一种太阳能电池基板、一种太阳能电池基板的制造方法、一种太阳能电池元件及一种太阳能电池。所述太阳能电池基板为包括n型扩散层、及比上述n型扩散层的n型杂质浓度高的n+型扩散层，且在上述n+型扩散层的表面具有凹部的半导体基板。

公开(公告)号：CN103688341A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035500.8

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。