公开(公告)号：CN107954709A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710963707.6

申请日：2017-10-17

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  河内优

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/44 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有：(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaO：Al2O3的摩尔比为13:6～11:8的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。

公开(公告)号：CN105793969A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065559.0

申请日：2014-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。

公开(公告)号：CN102549707A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080037548.3

申请日：2010-08-24

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  黑岩裕 ,  伊藤节郎

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02 ,  H01J61/067

CPC classification number: H01J61/0677 ,  H01J9/022 ,  H01J61/78

Abstract: 本发明涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。

公开(公告)号：CN102484031A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037996.3

申请日：2010-08-24

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  宫川直通 ,  黑岩裕 ,  伊藤和弘 ,  伊藤节郎 ,  前田敬

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J9/042 ,  H01J61/0672

Abstract: 本发明涉及一种电极，其为具有发射热电子的电极主体部的放电灯用电极，其中，所述电极主体部由导电性钙铝石化合物的烧结体构成。

公开(公告)号：CN100368340C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200480009438.0

申请日：2004-04-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  大崎康子 ,  中山胜寿 ,  渡边一成 ,  千叶次郎

IPC: C04B35/195 ,  C03C3/064 ,  H01B3/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: C04B35/468 ,  C03C3/064 ,  C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  H05K1/0306

Abstract: 一种制电介质用无铅玻璃，以摩尔%计，由以下氧化物SiO220～39%、B2O35～35%、Al2O32～15%、CaO+SrO 1～25%、BaO 5～25%、ZnO 0～35%、TiO2+ZrO2+SnO20～10%形成，其中B2O3+ZnO的含量在15～45%、不含碱金属氧化物或其含量低于1%。另，由含Ba化合物粉末与前述制电介质用无铅玻璃粉末为主要成分制成的制电介质用玻璃陶瓷组合物。另外，由前述制电介质用玻璃陶瓷组合物焙烧得到的电介质。

公开(公告)号：CN104684868B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201380050813.5

申请日：2013-09-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: H01B13/00 ,  C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  C01F7/16

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。

公开(公告)号：CN104411860A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380032070.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  林克郎 ,  伊藤节郎 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  渡边俊成 ,  伊藤和弘

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/00 ,  C04B35/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/44 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/664 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。

公开(公告)号：CN103547547A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023381.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边俊成 ,  渡边晓 ,  宫川直通

IPC: C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: C01F7/164 ,  C01B32/914 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

Abstract: 一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：(1)准备以13:6～11:8(换算成CaO:Al2O3的摩尔比)的比例含有氧化钙和氧化铝的煅烧粉末的工序；和(2)在一氧化碳气体及由铝源供给的铝蒸气的存在下以不与所述铝源接触的状态配置含有所述工序(1)中准备的煅烧粉末的被处理体并在还原性气氛下将所述被处理体保持在1220℃～1350℃范围的温度的工序。

公开(公告)号：CN106687616A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580050390.6

申请日：2015-09-16

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  伊藤和弘 ,  宫川直通 ,  中村伸宏

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50

Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。

公开(公告)号：CN102047379B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980119999.9

申请日：2009-05-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  伊藤和弘 ,  宫川直通 ,  渡边一成 ,  伊藤节郎

IPC: H01J61/35 ,  H01J61/30 ,  H01J65/00

CPC classification number: H01J61/35 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/664 ,  H01J65/046

Abstract: 本发明涉及一种荧光灯，具有包含放电气体且由玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体，并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。根据本发明的荧光灯，提供来自放电气体的紫外线的发光效率良好，并且放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好，化学稳定，耐氧化性优良，耐溅射性也优良，能够省电的荧光灯。