公开(公告)号：CN104220400B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201280067634.8

申请日：2012-11-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： K·莱奥尼 ,  鲁燕霞 ,  P·G·J·马克斯

IPC: C04B37/00

CPC classification number: B32B38/0036 ,  B32B2038/0052 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/04 ,  B32B2309/60 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/88 ,  Y10T156/10 ,  Y10T403/477

Abstract: 一种用于在两个或更多个成形的陶瓷结构之间形成改善的密封接头的方法，所述方法包括提供通过接头接合在一起的至少第一和第二陶瓷结构，该接头包括硅、硅合金和硅化合物中的一种或更多种，该接头包括在所述接合的结构内部的暴露部分；然后把所述接头的一种或更多种的硅、硅合金和硅化合物中的至少一部分转化成氮化硅和/或碳化硅，理想地在该接头的至少一个内部暴露部分进行，从而当在由密封在一起的陶瓷结构形成的装置之内使用侵蚀性化学品时，为该接头提供增加的耐化学性。所述陶瓷结构理想地包括碳化硅。

公开(公告)号：CN107828406A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711118390.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 汪逸凡

Inventor： 汪逸凡 ,  许玉 ,  陈一水

IPC: C09K8/80 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/636 ,  C04B38/02 ,  C04B41/89

CPC classification number: C09K8/805 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/636 ,  C04B38/009 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/46 ,  C04B38/02 ,  C04B41/46 ,  C04B41/4807 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/483

Abstract: 本发明公开了一种轻质复合陶粒支撑剂的制备方法，属于钻井助剂技术领域。本发明首先将海泡石、钾长石、铝矾土、粉煤灰和铜合金粉粉碎后，过筛，得混合细粉，再将混合细粉与高锰酸钾壳聚糖混合液混合造粒，制得颗粒料，再将颗粒料过筛，烘干后，于氮气保护状态下高温烧结，冷却，再次过筛，得烧结料，再将烧结料与糖蛋白液混合浸渍，过滤，得滤饼，并将滤饼与卡波姆液混合浸渍后，喷雾干燥，出料，即得轻质复合陶粒支撑剂。本发明技术方案制备的轻质复合陶粒支撑剂具有较高的强度及较多的空隙的特点，大大提高了其导流能力。

公开(公告)号：CN107324813A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710561690.1

申请日：2017-07-11

Applicant: 合肥东恒锐电子科技有限公司

Inventor： 齐慧

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C04B38/00 ,  A47J27/00 ,  A47J36/02 ,  A47J36/04 ,  C22F1/04 ,  B22D21/04 ,  C04B37/02

CPC classification number: C04B35/581 ,  A47J27/002 ,  A47J36/02 ,  A47J36/04 ,  B22D21/04 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B38/00 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/656 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明属于家用电器制造技术领域，具体涉及一种智能汤煲内胆的制造工艺，该内胆包括以下制造步骤：（1）氮化铝制备，（2）陶瓷原料制备，（3）陶瓷内胆制备，（4）铝合金外胆成型，（5）双胆结合。利用该工艺制造的汤煲内胆具有双层结构，包括内层的陶瓷内胆，外层的铝合金内胆，内层陶瓷内胆是经过配方改良的高温烧结胆，外层铝合金内胆通过铝合金溶液浇铸成型，然后利用两种材料的不同热膨胀系数将二者结合成一体；这种双层内胆具有受热均匀，散热缓慢，煲汤效果好优势，并且还具有耐高温、防炸裂、防冻、防摔的特点，是一种性能非常优异的智能汤煲内胆。

公开(公告)号：CN106220194A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610540692.8

申请日：2016-07-11

Applicant: 雷春生

Inventor： 雷春生 ,  薛培龙 ,  许博伟

IPC: C04B35/66 ,  C04B35/185 ,  F27D1/04

CPC classification number: C04B35/66 ,  C04B35/185 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/96 ,  F27D1/04

Abstract: 本发明涉及一种低蠕变抗热震烧嘴砖的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明首先将稻壳处理后，经碳化，得到碳化稻壳粉，再将铝矾土、蓝晶石粉碎后，与碳化稻壳粉、聚乙烯醇搅拌混合后，得到混合浆料，接着将其经陈化、压制和煅烧，即可得到低蠕变抗热震烧嘴砖。本发明制备的低蠕变抗热震烧嘴砖热稳定性好，不易发生蠕变，热震稳定性（次）1100℃水冷大于45次；且低蠕变抗热震烧嘴砖耐压强度和抗折强度高，可满足加热炉、均热炉使用要求。

公开(公告)号：CN105948759A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610405585.4

申请日：2016-06-08

Applicant: 山东鹏程陶瓷新材料科技有限公司

Inventor： 宫伯昌

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581

Abstract: 本发明涉及一种真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其制备方法，以质量份数计，原料配比为：氮化铝：稀土氧化物：其他金属氧化物＝80‑100：0‑20：0‑10。本发明提高了氮化铝基片的抗弯强度、致密度、导热性能、显微结构的均匀性，大大提高了基片的使用性能、使用稳定性、使用寿命，本方法制备的氮化铝基片相对于氧化铝基片以及其他方法制备的氮化铝基片具有明显的高热导率和长的使用寿命，可应用于高端精密设备。满足大功率集成电路对封装用基片的要求，在国防、航空航天、通讯、微电子领域内应用前景十分广阔。

公开(公告)号：CN104508178B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280075046.9

申请日：2012-09-13

Applicant: 东海炭素株式会社

Inventor： 杉原孝臣 ,  朝仓正明 ,  德永武士 ,  贞木哲也

IPC: C23C16/42 ,  C04B35/565 ,  C23C16/01

CPC classification number: C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325

Abstract: 本发明提供一种CVD?SiC成型体，其可以适合用作在半导体制造工序中使用的蚀刻器用构件等，该成型体的光透射性低、电阻率高。提供一种SiC成型体，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，优选的是电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。

公开(公告)号：CN102753475B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201080052089.6

申请日：2010-09-20

Applicant: 迪肯大学

Inventor： 颖·陈 ,  李陆华

IPC: C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  D01F9/08 ,  C04B35/583

CPC classification number: C01B35/146 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/16 ,  C04B35/6229 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6265 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5284 ,  C04B2235/5454 ,  C10M103/06 ,  C10M2201/061 ,  C10M2201/087 ,  C10N2220/082 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/602 ,  Y10T428/25

Abstract: 一种用于产生氮化硼纳米管和纳米管膜的工艺，所述工艺包括加热包含硼颗粒和金属化合物的液体组合物，其中在800?1300℃的温度下在使氮化硼纳米管生长的包含氮的气态气氛中进行加热，且其中所述硼颗粒具有小于100nm的平均粒度，且其中所述金属化合物被选择为使得其在加热期间促进氮化硼纳米管的生长。

公开(公告)号：CN105565812A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510945685.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 张欣 ,  何建 ,  李华臣 ,  陈建章

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/599 ,  C04B35/65 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/636 ,  C04B38/10

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/636 ,  C04B35/65 ,  C04B38/106 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0067

Abstract: 一种Sialon结合SiC多孔材料的制备方法，包括：称取60～80重量份SiC粉、10～20重量份活性氧化铝粉和5～15重量份金属硅粉，入球磨机研磨3h制得原料粉体；称取40～60重量份坯体增强剂，0.1～1.0质量份分散调凝剂，0.1～1.0质量份硅烷偶联剂与原料粉体搅拌均匀制得原料浆料；称取25重量份1wt％三萜皂甙植物发泡剂溶液高速搅拌制得泡沫；将泡沫与原料浆料搅拌均匀制得泡沫浆料；泡沫浆料注模成型、干燥、1400℃下氮化制得Sialon结合SiC多孔材料。其中，SiC粉粒度325目及以下，金属Si粉粒度200目及以下，活性氧化铝粉为ρ-Al2O3，坯体增强剂为聚乙烯醇、木质素磺酸钙和淀粉中的一种或其复合的水溶液，分散调凝剂为碳酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠、碳酸锂中的一种或其复合。

公开(公告)号：CN105481458A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610017321.1

申请日：2016-01-12

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 唐竹兴

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/591 ,  C04B35/65 ,  C04B35/634 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58064 ,  C04B35/591 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/806 ,  C04B2111/00362 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658

Abstract: 树脂分散硼化铌碳化硅-碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行树脂分散硼化铌填充处理，再进行沉积碳化硅处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得树脂分散硼化铌碳化硅-碳纤维摩擦材料。本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、填充硼化铌、沉积碳化硅、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，能适应各种气候条件的摩擦材料。

公开(公告)号：CN105481456A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610014387.5

申请日：2016-01-11

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 唐竹兴

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/563 ,  C04B35/56 ,  C04B35/591 ,  C04B35/65 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B38/00 ,  C04B35/5622 ,  C04B35/563 ,  C04B35/591 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/806 ,  C04B2111/00362 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B35/584

Abstract: 超声波分散碳化钽碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行超声波分散碳化钽填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得超声波分散碳化钽碳化硼-碳纤维摩擦材料。本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充碳化钽、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，是适应各种气候条件的摩擦材料。