公开(公告)号：CN102549721B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080044529.3

申请日：2010-10-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈米特·辛格 ,  桑凯特·桑特 ,  尚-I·周 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  拉斐尔·卡塞斯 ,  施萨拉曼·拉马钱德兰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 给入口真空交换室提供晶片。在该入口真空交换室中生成真空。将晶片传送到加工工具中。在加工室中加工该晶片进而提供已加工晶片，其中该加工形成卤素残留物。在加工该晶片后在加工室中进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

公开(公告)号：CN102227804A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147848.4

申请日：2009-12-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗伯特·格里菲斯·奥尼尔 ,  乔治·鲁克 ,  尚-I·周 ,  哈米特·辛格

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67748 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8864 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68

Abstract: 操作晶片处理机械以在卡盘上放置晶片。然后施加夹紧力至所述晶片，使得所述卡盘的晶片支撑特征将缺陷图案传递到所述晶片的表面上。通过缺陷计量工具分析所述晶片的所述表面以获得传递到所述晶片的所述表面上的所述缺陷图案的绘图。通过分析传递到所述晶片的所述表面的所述缺陷图案确定在所述晶片的坐标系内的所述卡盘的中心点坐标。确定所述卡盘的所述中心点坐标和所述晶片的所述中心点之间的空间偏移。使用所述空间偏移调整所述晶片处理机械使得所述晶片的所述中心点对准所述卡盘的所述中心点坐标。

公开(公告)号：CN102934199B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180027801.1

申请日：2011-06-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 耶-库恩·维克特·王 ,  尚-I·周 ,  贾森·奥古斯蒂诺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/268 ,  C03B20/00 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种具有内部充气室的石英窗，其通过向该充气室供应含臭氧的气体能运行作为光栅或者UV滤镜。能够调整该充气室内的压强以阻挡UV光透射进入所述脱气腔室中，或调整UV光通过所述窗的透射率。当排空所述充气室时，所述充气室使得进入所述脱气腔室的UV光的透射最大化。

公开(公告)号：CN102227804B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980147848.4

申请日：2009-12-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗伯特·格里菲斯·奥尼尔 ,  乔治·鲁克 ,  尚-I·周 ,  哈米特·辛格

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67748 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8864 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68

Abstract: 操作晶片处理机械以在卡盘上放置晶片。然后施加夹紧力至所述晶片，使得所述卡盘的晶片支撑特征将缺陷图案传递到所述晶片的表面上。通过缺陷计量工具分析所述晶片的所述表面以获得传递到所述晶片的所述表面上的所述缺陷图案的绘图。通过分析传递到所述晶片的所述表面的所述缺陷图案确定在所述晶片的坐标系内的所述卡盘的中心点坐标。确定所述卡盘的所述中心点坐标和所述晶片的所述中心点之间的空间偏移。使用所述空间偏移调整所述晶片处理机械使得所述晶片的所述中心点对准所述卡盘的所述中心点坐标。

公开(公告)号：CN102934199A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027801.1

申请日：2011-06-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 耶-库恩·维克特·王 ,  尚-I·周 ,  贾森·奥古斯蒂诺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/268 ,  C03B20/00 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种具有内部充气室的石英窗，其通过向该充气室供应含臭氧的气体能运行作为光栅或者UV滤镜。能够调整该充气室内的压强以阻挡UV光透射进入所述脱气腔室中，或调整UV光通过所述窗的透射率。当排空所述充气室时，所述充气室使得进入所述脱气腔室的UV光的透射最大化。

公开(公告)号：CN102549721A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044529.3

申请日：2010-10-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈米特·辛格 ,  桑凯特·桑特 ,  尚-I·周 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  拉斐尔·卡塞斯 ,  施萨拉曼·拉马钱德兰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 给入口真空交换室提供晶片。在该入口真空交换室中生成真空。将晶片传送到加工工具中。在加工室中加工该晶片进而提供已加工晶片，其中该加工形成卤素残留物。在加工该晶片后在加工室中进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

公开(公告)号：CN217387074U

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202220250952.9

申请日：2022-02-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尚-I·周 ,  王丹丹 ,  乔瓦尼·保罗·加尤多 ,  盖理·格拉格 ,  罗伯特·奥尼尔

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/09

Abstract: 一种被配置为布置在衬底处理室中的底部环上方的宽覆盖边缘环包括：上表面；下表面，其包括下表面台阶，所述下表面台阶从所述下表面向下延伸，并且被配置为被容纳在至少部分地由所述底部环的上表面和室衬里的内表面限定的凹部内并与所述凹部对接；内径，所述边缘环的所述内径中限定有凸台；以及外径。所述边缘环的所述外径包括从所述边缘环径向向外延伸并在所述外径中限定向内台阶的突出部，所述突出部和所述向内台阶被配置成与所述室衬里的上端对接，并且，所述突出部被配置为至少部分地在所述室衬里的所述上端上方延伸。