公开(公告)号：CN102549721A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044529.3

申请日：2010-10-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈米特·辛格 ,  桑凯特·桑特 ,  尚-I·周 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  拉斐尔·卡塞斯 ,  施萨拉曼·拉马钱德兰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 给入口真空交换室提供晶片。在该入口真空交换室中生成真空。将晶片传送到加工工具中。在加工室中加工该晶片进而提供已加工晶片，其中该加工形成卤素残留物。在加工该晶片后在加工室中进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

公开(公告)号：CN106252212A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610403050.3

申请日：2016-06-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 桑凯特·桑特

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/225 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及一种具有掺杂的石英表面的等离子体蚀刻器件。提供了一种用于处理衬底的装置。提供了一种处理室。用于支撑衬底的衬底支撑件是在处理室内。边缘环是在衬底支撑件上，其中边缘环包括具有掺杂剂AlO和YO或者掺杂剂LaO的无氮的掺杂石英。用于提供气体到处理室中的气体入口是在衬底的表面之上。至少一个电极提供射频功率到处理室中。

公开(公告)号：CN102549721B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080044529.3

申请日：2010-10-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈米特·辛格 ,  桑凯特·桑特 ,  尚-I·周 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  拉斐尔·卡塞斯 ,  施萨拉曼·拉马钱德兰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 给入口真空交换室提供晶片。在该入口真空交换室中生成真空。将晶片传送到加工工具中。在加工室中加工该晶片进而提供已加工晶片，其中该加工形成卤素残留物。在加工该晶片后在加工室中进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。