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公开(公告)号：CN101359508A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810131213.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三角贤治
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器控制装置。存储器控制器在固定时间段内拒绝写操作的信号没有从写控制器输出时，通过写指令输出单元向多个非易失性存储器中任意选择的非易失性存储器输出追加写指令，并且在不迟于任意非易失性存储器中的追加写操作完成的时刻，通过写指令输出单元至少一次地向另一非易失性存储器输出临时写指令。
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公开(公告)号：CN1542857A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410005950.X
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 提供了写操作选择电路以用于选择具有存储单元晶体管元件的规定记录时间的临时写操作和用于存储单元晶体管元件的附加写操作。提供了记录时间控制电路以用于通过写操作选择电路的输出信号控制附加写操作时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925059A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128830.8
申请日：2006-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/10 , H01L29/792
CPC classification number: G11C16/349
Abstract: 一种非易失性半导体记忆装置的改写方法，具有陷阱层的非易失性存储单元中，具有确保任意的等待时间的第1电荷注入(121)，以及在改写顺序中，在第1电荷注入后实施的第2电荷注入(122)，通过这样，利用写入后的初期变动(极短时间中与周边电荷的结合所引起的电荷损失现象)，降低使得数据保持特性恶化的周边电荷，进而补充因初期变动所引起的电荷损失部分，通过这样，提高之后的数据保持特性，抑制具有陷阱层的非易失性存储单元的数据保持特性的恶化。
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公开(公告)号：CN1841559A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071668.0
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C16/30
Abstract: 即使擦除单位区域之间重写操作的次数不同，也可以提高所有擦除单位区域的重写操作的次数。闪存EEPROM 100包括修整值储存区域130，其用于储存对应于存储单元阵列110中包括的每个擦除单位区域120的修整值。在对特定擦除单位区域120进行擦除操作和写入操作时，调节电路150将增压电路140增压的电压转换为对应于擦除单位区域120的修整值的电平。在由于重写操作次数增加而使读出确定电路170检测出异常时，将修整值更新为使调节电路150提高输出电压的值。
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公开(公告)号：CN100557712C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200410005950.X
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 提供了写操作选择电路以用于选择具有存储单元晶体管元件的规定记录时间的临时写操作和用于存储单元晶体管元件的附加写操作。提供了写时间控制电路以用于通过写操作选择电路的输出信号控制附加写操作时间。
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公开(公告)号：CN100472655C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610071668.0
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C16/30
Abstract: 即使擦除单位区域之间重写操作的次数不同，也可以提高所有擦除单位区域的重写操作的次数。闪存EEPROM 100包括修整值储存区域130，其用于储存对应于存储单元阵列110中包括的每个擦除单位区域120的修整值。在对特定擦除单位区域120进行擦除操作和写入操作时，调节电路150将增压电路140增压的电压转换为对应于擦除单位区域120的修整值的电平。在由于重写操作次数增加而使读出确定电路170检测出异常时，将修整值更新为使调节电路150提高输出电压的值。
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公开(公告)号：CN101004951A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610172099.9
申请日：2006-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/16
Abstract: 在具有陷阱层的非易失性存储单元中，通过具有确保任意的等待时间的第一电荷注入(121)、和在改写时序中于第一电荷注入后实施的第二电荷注入(122)，利用刚刚写入之后的初期变动(极短时间内的与周边电荷的结合所引起的电荷损失现象)，降低使数据保持特性恶化的周边电荷，在此基础上进一步通过弥补因初期变动而减少的电荷损失量，来提高此后的数据保持特性。其中，仅在达到规定判断电平时实施第二电荷注入。这样可抑制具有陷阱层的非易失性存储单元的数据保持特性的恶化。
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