公开(公告)号：CN101123252A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710138244.6

申请日：2007-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板(1)的活性区域(1a)上，隔着高介电常数栅极绝缘膜(4)形成有栅极电极(7A)。在基板(1)的活性区域(1b)上，隔着栅极氧化膜(6)形成有栅极电极(7B)。在栅极电极(7A)及(7B)各自的侧面形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物(8A)及(8B)。

公开(公告)号：CN101308847A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810003870.9

申请日：2008-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。N型MIS晶体管NTr包括形成在半导体衬底100的第一活性区域100a上的第一栅极绝缘膜105a与形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极108a；P型MIS晶体管PTr包括形成在半导体衬底的第二活性区域100b上且由与第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜103b以及形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极108b。第一栅电极和第二栅电极的上部区域在元件隔离区域上相互电连接，下部区域夹着由与第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜105xy而彼此分开。于是，在第一MIS晶体管和第二MIS晶体管中高精度地实现由不同的绝缘材料形成的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN1933158A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610093208.8

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  工藤千秋

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 在将晶体管的栅极电极全硅化物化之际，根据栅极长度或栅极面积等对图案的依赖性，在未反应的多晶硅区域或硅化物的组成局部不同的区域不形成栅极电极。半导体装置，包括顺次形成在半导体衬底的第一区域(A)上，具有第一栅极绝缘膜(104A)及全硅化物化了的第一栅极电极(115A)的第一N型金属绝缘体半导体晶体管(51)，和顺次形成在半导体衬底的第二区域(B)上，具有第二栅极绝缘膜(104B)及全硅化物化了的第二栅极电极(115B)的第二N型金属绝缘体半导体晶体管(52)。第二栅极电极的栅极长度，比第一栅极电极的栅极长度大，且，第二栅极电极的栅极长度方向的中央部的厚度，比第一栅极电极的厚度小。

公开(公告)号：CN101123252B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710138244.6

申请日：2007-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板(1)的活性区域(1a)上，隔着高介电常数栅极绝缘膜(4)形成有栅极电极(7A)。在基板(1)的活性区域(1b)上，隔着栅极氧化膜(6)形成有栅极电极(7B)。在栅极电极(7A)及(7B)各自的侧面形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物(8A)及(8B)。

公开(公告)号：CN1941372A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610093202.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  平濑顺司

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823443 ,  H01L23/485 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：在半导体基板(10)上形成的元件分离区域(12)以及由元件分离区域(12)围成的活性区域(11)；形成在元件分离区域(12)以及活性区域(11)上且被完全硅化物化的栅极布线(19)；和连续地覆盖栅极布线(19)的侧面的绝缘性侧壁(21)。栅极布线(19)的至少一部分被形成为从侧壁(21)突出。这样，在采用栅极布线的宽度窄的完全硅化物化栅极工艺的半导体装置中，能实现不用改变栅极布线的设计规则，便可容易地确保栅极布线和接点的接触面积且栅极布线的布线电阻小的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN111370433A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910956285.9

申请日：2019-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  TOWERJAZZ松下半导体有限公司

Inventor： 境田良太 ,  佐藤好弘 ,  佐伯幸作 ,  堂下秀树 ,  山下武志

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请提供摄像装置以及其制造方法。本申请的一个形态所涉及的摄像装置(100)具备半导体衬底(60)和多个像素(10)，多个像素(10)的每一个具备：光电转换部(12)，将入射光转换为电荷；第1扩散区域(67n)，位于半导体衬底(60)中，与光电转换部(12)电连接；复位晶体管(26)，包括第1扩散区域(67n)且具备栅极电极(26e)，并将第1扩散区域(67n)用作源极以及漏极的一方；接触插头(cp1)，与第1扩散区域(67n)直接连接，并与光电转换部(12)电连接，以半导体衬底(60)的表面为基准，接触插头(cp1)的高度与栅极电极(26e)的高度彼此相等。

公开(公告)号：CN102473679A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030744.8

申请日：2010-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田智弘 ,  平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括：在形成于基板(10)的第1活性区域(10a)上形成包含高电介质的第1栅极绝缘膜(17a)、和包含金属材料的第1栅电极(18a)，且在形成于基板(10)的第2活性区域(10b)上形成包含高电介质的第2栅极绝缘膜(17b)、和包含金属材料的第2栅电极(18b)的工序；向第1栅极绝缘膜(17a)的端部和第2栅极绝缘膜(17b)的端部导入负的固定电荷的工序；和除去第1栅极绝缘膜(17a)的端部的工序。

公开(公告)号：CN101308847B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200810003870.9

申请日：2008-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。N型MIS晶体管NTr包括形成在半导体衬底（100）的第一活性区域（100a）上的第一栅极绝缘膜（105a）与形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极（108a）；P型MIS晶体管PTr包括形成在半导体衬底的第二活性区域（100b）上且由与第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜（103b）以及形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极（108b）。第一栅电极和第二栅电极的上部区域在元件隔离区域上相互电连接，下部区域夹着由与第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜（105xy）而彼此分开。于是，在第一MIS晶体管和第二MIS晶体管中高精度地实现由不同的绝缘材料形成的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN101165896A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710162689.8

申请日：2007-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 在半导体基板(10)上，形成具有比有源区域(11)高的上面的元件分离区域(12)之后，在有源区域(11)及元件分离区域(12)之上，形成栅极布线形成用膜(14)及保护膜形成用膜(15)。然后，研磨保护膜形成用膜(15)，使其平坦化。接着，进行布图，从而在形成栅电极部(14a)、栅极布线部(14b)及保护膜(15a)之后，形成侧壁(17)。提供能够更切实地将栅电极全硅化物化的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN101114646A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710111845.8

申请日：2007-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别是关于栅极电极被全硅化的半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：在具有全硅化栅极电极的半导体装置的制造方法中，可避免受到活性区域和元件隔离区域之间高度差异的影响，并能以高精度使分别在活性区域上和元件隔离区域上形成的栅极电极形成膜及栅极布线形成膜露出。以覆盖在形成有围绕活性区域(11)的元件隔离区域(12)的半导体衬底(10)上形成的保护膜(15a)及保护膜(15b)的形态，形成基层保护膜(19)和层间绝缘膜(20)后，利用化学机械研磨(CMP)法，研磨去除层间绝缘膜(20)、基层保护膜(19)及保护膜(15b)，直至保护膜(15a)的上表面露出为止。