公开(公告)号：CN1253946C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC: H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备：含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN-HBT具备：与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。

公开(公告)号：CN1692560A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100670.0

申请日：2003-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田边充 ,  佐伯高晴 ,  南善久 ,  田中宏一郎 ,  齐藤典昭

IPC: H04B1/04 ,  H03F3/24 ,  H04J11/00 ,  H04J1/00

CPC classification number: H03F1/025 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0244 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/507 ,  H03F2200/511 ,  H04B2001/045

Abstract: 提供宽频带且高效率的EER方法的发送机。为此，调制信号中的振幅分量输入高频功率放大器130的电源端子，IQ正交信号输入高频功率放大器130的高频输入端子，从高频功率放大器130的输出获得调制信号。从输出电压依次不同的DC－DC变换器群615经由开关群621将集电极电压供给发射极跟随器729。集电极电压根据振幅分量的电平，开关群621选择DC－DC变换器616～620任意一个输出，通过供给发射极跟随器，减小发射极跟随器729的发射极电压和发射极跟随器729的集电极电压的差，提高发射极跟随器729的效率，而且，通过发射极跟随器729对高频功率放大器130的电源电压进行电压变换，实现宽频带动作。

公开(公告)号：CN100362746C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200380100670.0

申请日：2003-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田边充 ,  佐伯高晴 ,  南善久 ,  田中宏一郎 ,  齐藤典昭

IPC: H04B1/04 ,  H03F3/24 ,  H04J11/00 ,  H04J1/00

CPC classification number: H03F1/025 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0244 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/507 ,  H03F2200/511 ,  H04B2001/045

Abstract: 提供宽频带且高效率的EER方法的发送机。为此，调制信号中的振幅分量输入高频功率放大器130的电源端子，IQ正交信号输入高频功率放大器130的高频输入端子，从高频功率放大器130的输出获得调制信号。从输出电压依次不同的DC-DC变换器群615经由开关群621将集电极电压供给发射极跟随器729。集电极电压根据振幅分量的电平，开关群621选择DC-DC变换器616～620任意一个输出，通过供给发射极跟随器，减小发射极跟随器729的发射极电压和发射极跟随器729的集电极电压的差，提高发射极跟随器729的效率，而且，通过发射极跟随器729对高频功率放大器130的电源电压进行电压变换，实现宽频带动作。

公开(公告)号：CN1643689A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806360.3

申请日：2003-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日野拓生 ,  南善久

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0805

Abstract: 一种MIM(金属绝缘体金属)电容器，设置有：衬底；第一金属区；形成在衬底与第一金属区之间的第二金属区；和形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且该MIM电容器还设置有：形成在第二金属区与衬底之间的第三金属区；和形成在第三金属区与第二金属区之间的第二绝缘层；其中第三金属区连接到地电势。

公开(公告)号：CN1236221A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106798.3

申请日：1999-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 南善久 ,  安田胜

IPC: H03H11/12

CPC classification number: H03H11/1252 ,  H03H11/1221

Abstract: 通过改进电路结构,提供一种具有高Q值、能实现集成电路化的高性能的有源滤波器(带阻滤波器或带通滤波器)。从输入端子1输入的信号Vi供给第1差分放大器2的同相输入端。第1差分放大器2的输出端与第2差分放大器4的同相输入端连接,在该连接线和交流接地电位之间连接第1电容器3。第2差分放大器4的输出端经第2电容器5与第1差分放大器2的同相输入端连接。

公开(公告)号：CN1300849C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03806360.3

申请日：2003-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日野拓生 ,  南善久

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/33

Abstract: 一种MIM(金属绝缘体金属)电容器，设置有：衬底；第一金属区；形成在衬底与第一金属区之间的第二金属区；和形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且该MIM电容器还设置有：形成在第二金属区与衬底之间的第三金属区；和形成在第三金属区与第二金属区之间的第二绝缘层；其中第三金属区连接到地电势。

公开(公告)号：CN1126249C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN99106798.3

申请日：1999-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 南善久 ,  安田胜

IPC: H03H11/12

CPC classification number: H03H11/1252 ,  H03H11/1221

Abstract: 通过改进电路结构，提供一种具有高Q值、能实现集成电路化的高性能的有源滤波器(带阻滤波器或带通滤波器)。从输入端子1输入的信号Vi供给第1差分放大器2的同相输入端。第1差分放大器2的输出端与第2差分放大器4的同相输入端连接，在该连接线和交流接地电位之间连接第1电容器3。第2差分放大器4的输出端经第2电容器5与第1差分放大器2的同相输入端连接。

公开(公告)号：CN1369918A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC: H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备:含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN－HBT具备:与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。