公开(公告)号：CN1253946C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC: H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备：含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN-HBT具备：与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。

公开(公告)号：CN1369918A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC: H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备:含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN－HBT具备:与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。