公开(公告)号：CN1841775A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067980.2

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤嘉展 ,  小仓弘义 ,  一条尚生 ,  生田晃久 ,  寺下彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种高耐压半导体装置，其形成在具有支承基板(101)、绝缘膜(102)和活性层(103)的SOI基板上，并具备：在活性层上形成的N型阱区(105)及P型漏极偏置区域(104)、在阱区上形成的P型源极区(106)、在漏极偏置区域上形成的P型漏极区域(108)、至少在被活性层中的源极区域及漏极偏置区域夹着的区域上形成的栅极绝缘膜(110)、在栅极绝缘膜上形成的栅电极(111)，同时还具备漏极偏置区域之下形成的N型深阱区域(112)。深阱区域(112)形成用杂质的浓度峰值，存在于比漏极偏置区域(104)形成用杂质的浓度峰值更深的位置。实现了既抑制导通电阻的增加，又实现高耐压化。

公开(公告)号：CN100570891C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610067980.2

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤嘉展 ,  小仓弘义 ,  一条尚生 ,  生田晃久 ,  寺下彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种高耐压半导体装置，其形成在具有支承基板(101)、绝缘膜(102)和活性层(103)的SOI基板上，并具备：在活性层上形成的N型阱区(105)及P型漏极偏置区域(104)、在阱区上形成的P型源极区(106)、在漏极偏置区域上形成的P型漏极区域(108)、至少在被活性层中的源极区域及漏极偏置区域夹着的区域上形成的栅极绝缘膜(110)、在栅极绝缘膜上形成的栅电极(111)，同时还具备漏极偏置区域之下形成的N型深阱区域(112)。深阱区域(112)形成用杂质的浓度峰值，存在于比漏极偏置区域(104)形成用杂质的浓度峰值更深的位置。实现了既抑制导通电阻的增加，又实现高耐压化。