公开(公告)号：CN103548127A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024242.3

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 根来升 ,  梅田英和 ,  平下奈奈子 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。