公开(公告)号：CN103548127A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024242.3

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 根来升 ,  梅田英和 ,  平下奈奈子 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。

公开(公告)号：CN103392225A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180068394.9

申请日：2011-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。

公开(公告)号：CN101373809A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810169915.X

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管元件，包括：半导体叠层膜，具有第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层；形成在所述半导体叠层膜的一个面上的第一电极；形成在所述半导体叠层膜的所述一个面的对面上的第二电极；形成为与所述第一电极或所述第二电极相接的金属膜；以及在所述半导体叠层膜与所述金属膜之间，所述半导体叠层膜与所述金属膜的周边部所形成的电流狭窄层。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN1481054A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152677.2

申请日：2003-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/02252 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。

公开(公告)号：CN102292801B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201080005230.7

申请日：2010-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  引田正洋 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。

公开(公告)号：CN103081062A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040477.7

申请日：2011-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木朝实良 ,  梅田英和 ,  石田昌宏 ,  上田哲三

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/265 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2652

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。

公开(公告)号：CN102959686A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030056.6

申请日：2011-04-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海原一裕 ,  石田秀俊 ,  上田哲三

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。

公开(公告)号：CN102822982A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065680.5

申请日：2010-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上田大助 ,  上本康裕 ,  上田哲三

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。

公开(公告)号：CN102341922A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010085.1

申请日：2010-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福岛康之 ,  上田哲三

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 氮化物半导体元件具有：以C面为生长面并且在上表面具有凹凸的第一氮化物半导体层(103)；和在第一氮化物半导体层(103)之上按照与凹凸接触的方式形成、并且为p型的第二氮化物半导体层(104)。位于凹凸的侧壁正上方的第二氮化物半导体层(104)的p型载流子浓度是1×1018/cm3以上。