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公开(公告)号：CN1359534A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN00809896.4
申请日：2000-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/67138
Abstract: 本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成:即,至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时,使该晶片直接接触后热装置(170),除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷,或者,通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此,与以往相比可以降低所述晶片的带电量,所以,可以防止所述晶片的热电破坏,而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。
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公开(公告)号：CN100383915C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510091651.7
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN1541410A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN01819199.1
申请日：2001-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , B23K20/007 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L2223/5448 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种在半导体晶片上形成凸点的方法及其设备，与传统技术相比，当在半导体晶片上形成凸点时，其生产效率得到提高。本发明中的设备提供凸点形成头(190)、识别部件(150)和控制部件(180)。在半导体晶片上形成的ICs被划分为基本方块(230)。凸点形成在一个基本方块中所包含的ICs上连续进行。只有当凸点形成程序从一个基本方块移动到另一基本方块时，才对其它基本方块进行位置识别。因此，与每次对每个IC形成凸点时都执行位置识别过程的传统技术相比，识别的次数大大地减少，从而生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN1440568A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812387.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN100382261C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN00809896.4
申请日：2000-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/67138
Abstract: 本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成：即，至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时，使该晶片直接接触后热装置(170)，除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷，或者，通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此，与以往相比可以降低所述晶片的带电量，所以，可以防止所述晶片的热电破坏，而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1222026C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01812387.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN1155068C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99807558.2
申请日：1999-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在半导体片上形成凸点时，进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180)，在凸点形成后，根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202)，控制该片的温度下降。因此，即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN1838380A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510091651.7
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN1275304C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN01819199.1
申请日：2001-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , B23K20/007 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L2223/5448 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种用来用于在对半导体晶片(201)上形成凸点的方法，它包括步骤：从以网格图案形式设置在所述半导体晶片(201)上准备进行凸点粘结的ICs中限定出由一定数目的行和列组成的基本方块(230)，其中所述数目被存储在一控制装置的存储器中，且所述基本方块中的每一个都带有具有按行或列方向或者按照行和列方向彼此相邻的ICs(223)；和执行相对于每一个所述基本方块的位置识别用于形成凸点进行。因此，与每次对每个IC形成凸点时都执行位置识别过程的传统技术相比，识别的次数大大地减少，从而生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN1306674A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN99807558.2
申请日：1999-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在半导体片上形成凸点时,进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180),在凸点形成后,根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202),控制该片的温度下降。因此,即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。
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