Patent search cpc:"H01L2224/13099" Page 1

1.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN104919569B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201380070170.0

申请日：2013-01-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富田和朗

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/13022 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/13099

Abstract: 半导体装置(SC)为一个芯片区域通过分割曝光而形成的半导体装置。层间绝缘膜(II2～II6)在元件形成区域中具有通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)，且在保护环区域中具有保护环用孔(GH2～GH6)。布线用导电层(CL1～CL5)形成在通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)内。保护环用导电层(GRP2～GRP6)形成在保护环用孔(GH2～GH6)内。保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比通路(VH2～VH5)内的布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大。

2.

发明公开
芯片装置和用于构成接触连接部的方法无效

公开(公告)号：CN107431058A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680015610.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 派克泰克封装技术有限公司

Inventor： 海因里希·吕德克 , 里卡多·格尔哈尔

IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/283 , H01L23/49 , H01L21/268

CPC classification number: H01L24/48 , B23K26/20 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/77 , H01L24/81 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/16225 , H01L2224/37026 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40992 , H01L2224/40997 , H01L2224/4112 , H01L2224/45005 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/73255 , H01L2224/77263 , H01L2224/77281 , H01L2224/77601 , H01L2224/77611 , H01L2224/77704 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/84214 , H01L2224/84424 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/84986 , H01L2224/85051 , H01L2224/85203 , H01L2224/85214 , H01L2224/85379 , H01L2224/8584 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2224/13099

Abstract: 本发明涉及一种芯片装置(10)以及一种用于在芯片(18)和导体材料带(14)之间构成接触连接部(11)的方法，所述芯片尤其是功率晶体管等，其中导体材料带在不导电的衬底(12)上构成，其中芯片设置在衬底或导体材料带(15)上，其中分别在芯片的芯片接触面(25)和导体材料带(28)上施加银膏(29)或者铜膏，其中接触导体(30)浸入到芯片接触面上的银膏或铜膏中并且浸入到导体材料带上的银膏或铜膏中，其中包含在银膏或铜膏中的溶剂通过加热至少部分地蒸发，其中接触连接部通过如下方式构成：银膏或铜膏借助于激光能量烧结。

3.

发明授权
封装方法及封装半导体器件有权

公开(公告)号：CN103972140B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310150867.0

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 , 洪瑞斌

IPC: H01L21/683 , H01L21/98 , H01L23/31 , H01L25/065

CPC classification number: H01L23/498 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L25/03 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/13099

Abstract: 本发明公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。

4.

发明授权
具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104241229B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 , 马金希 , 李仁荣 , 赵文祺 , 赵汊济 , 赵泰济

IPC: H01L23/48 , H01L23/31 , H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/119 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/81005 , H01L2224/81007 , H01L2224/92 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L2224/1191 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

5.

发明公开
具有集成散热片的半导体封装体有权转让

公开(公告)号：CN106711113A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610145000.X

申请日：2016-03-14

Applicant: 意法半导体公司

Inventor： E·M·卡达格 , J·塔利多

IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/367

CPC classification number: H01L23/4952 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/4951 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81986 , H01L2224/83002 , H01L2224/83101 , H01L2224/83385 , H01L2224/83986 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L24/10 , H01L24/15 , H01L24/42 , H01L24/47 , H01L2224/17 , H01L2224/491

Abstract: 一个或多个实施例涉及具有集成散热片的半导体封装体以及形成这些半导体封装体的方法。在一个实施例中，封装体包括多根引线，这些引线支撑并封闭该半导体裸片的多个周边部分。这些引线具有形成该封装体的多个外表面的第一和第二相对的表面。这些引线的第一表面可以形成散热片而这些引线的第二表面形成该封装体的用于耦接至另一个器件、衬底或板上的多个焊区。该封装体包括包封材料，该包封材料包围该半导体裸片并且位于这些引线的这些上部部分之间。该封装体进一步包括后部填充材料(或绝缘材料)，该后部填充材料在该半导体裸片下方并且在这些引线的这些下部部分之间。

6.

发明授权
具有含多个垂直嵌入管芯的衬底的多芯片封装以及形成所述封装的工艺有权

公开(公告)号：CN103270586B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201180062444.2

申请日：2011-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·S·冈萨雷斯 , H·朱马

IPC: H01L23/12 , H01L23/48

CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/95 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/221 , H01L2224/2402 , H01L2224/24105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24147 , H01L2224/245 , H01L2224/251 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/92244 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1815 , H01L2924/18162 , H01L2224/82 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00

Abstract: 一种包括衬底的装置，所述衬底具有含多个触点焊盘的焊接区侧以及与焊接区层相对的管芯侧。所述装置包括第一管芯和第二管芯，其中第一管芯和第二管芯嵌入衬底内，使得第二管芯位于第一管芯与衬底的焊接区侧之间。

7.

发明公开
用于在基板的基板定位上安装设有凸块的半导体的方法有权

公开(公告)号：CN106486400A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610754833.6

申请日：2016-08-18

Applicant: 贝思瑞士股份公司

Inventor： 弗洛里安·斯皮尔

IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/544

CPC classification number: H01L24/75 , H01L21/67144 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/75 , H01L2224/75702 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/81 , H01L2224/81132 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099

Abstract: 本发明涉及一种用于在基板的基板定位上安装设有凸块的半导体的方法，该方法用于在基板的基板定位上安装设有凸块的半导体芯片作为倒装芯片。该方法包括在以固定方式布置的腔中放置倒装芯片，其中用助焊剂润湿该凸块并且借助照相机来确定倒装芯片的位置。该方法进一步包括使用运送头和结合头，它们允许快速且高精度的安装。