公开(公告)号：CN111566821A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007421.8

申请日：2019-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 兼松大二 ,  益子庆一郎 ,  中井出 ,  片山博贵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/76 ,  H01L31/0747

Abstract: 太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。

公开(公告)号：CN110098266A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910080304.6

申请日：2019-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤嶋大介 ,  片山博贵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明的太阳能单电池(1)包括：具有p型表面和n型表面的光电转换部(20)、p侧导电体(50a)、p侧Sn层、n侧导电体(40a)、n侧Sn层、形成于p型表面(20bp)和p侧导电体(50a)之间的p侧种子层(54)、形成于n型表面(20bn)和n侧导电体(40a)之间的n侧种子层(44)、覆盖p侧种子层(54)且由与p侧种子层(54)不同的金属构成的p侧金属层(57)、覆盖n侧种子层(44)且由与n侧种子层(44)不同的金属构成的n侧金属层(47)。另外，铜对于p侧金属层(57)的扩散系数比铜对于p侧Sn层(56)的扩散系数小。而且，铜对于n侧金属层(47)的扩散系数比铜对于n侧Sn层(46)的扩散系数小。