公开(公告)号：CN110957391A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910821870.8

申请日：2019-09-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中井出 ,  兼松大二 ,  平野浩一

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种制造成本低且发电效率高的太阳能电池单元。太阳能电池单元的制造方法包括：在半导体基板(18)上形成金属层(27)；在金属层(27)上形成包含树脂和规定波长的光吸收率高于树脂的无机粒子的抗蚀剂层(30)；对抗蚀剂层(30)照射规定波长的激光(40)，除去抗蚀剂层(30)形成金属层(27)露出的开口(32)；以及对在开口(32)露出的金属层(27)进行湿蚀刻。

公开(公告)号：CN111566821A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007421.8

申请日：2019-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 兼松大二 ,  益子庆一郎 ,  中井出 ,  片山博贵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/76 ,  H01L31/0747

Abstract: 太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。