公开(公告)号：CN110010720A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811589712.6

申请日：2018-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 益子庆一郎 ,  村上洋平 ,  平野浩一

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN111566821A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007421.8

申请日：2019-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 兼松大二 ,  益子庆一郎 ,  中井出 ,  片山博贵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/76 ,  H01L31/0747

Abstract: 太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。